[Ni(R2pipdt)(dmit)],(R2pipdt = 1,4-二取代-
哌嗪-3,2-二
硫酮,R = CH2C6H5; dmit = 1,3-二
硫代-2-
硫酮-4,5-二
硫代
磺酸盐)(已经制备和表征了1b),并与属于相同类别的已知配合物2b的性质进行了比较,其中R = Pr i。进行1b和2b的循环伏安法,并将其与相应的R2pipdt
配体前体(1a和2a)的伏安法进行比较。pipdt
配体的R-基团的性质对氧化还原电势产生影响,并确认LUMO的位置主要位于络合物的R2pipdt部分。因此,与2b的相应跃迁相比,在较低的频率下发现了1b的低频吸收,该低频吸收被分配给具有
配体间电荷转移特性的HOMO-LUMO跃迁。对R2pipdt
配体前体(1a,2a)和相应的配合物(1b,2b)的电还原自由基进行原位EPR。这表明1b和2b中R2pipdt
配体上未成对的电子有相当大的离域,与N和H的偶合常