silanimine, hydrogen salt | 113159-97-0

• 分子结构分类: 无机化合物 - 均质非金属化合物 - 均质其他非金属化合物
• 英文名称: silanimine, hydrogen salt
• CAS: 113159-97-0
• 化学式: HNSi*H
• 分子量: 44.1081
• InChiKey: PMXLLFCEIKHJCZ-UHFFFAOYSA-O

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.03
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  23.85
• 氢给体数：
  1.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silanimine, hydrogen salt 在 氨 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 iminosilicon 、 Ammonium
  参考文献：
  名称：

  硅离子（Si+ 与氨和胺 (CH3)xNH3-x(X = 1-3)）的气相反应：可能的离子-分子反应途径为 SiH、SiCH、SiNH、SiCH3、SiNCH3 和 H2SiNH

  摘要：

  已确定基态 Si/sup +/(/sup 2/P) 离子与氨和胺 (CH/sub 3/)/sub x/NH/sub 3 的气相反应的速率常数和产物分布-x/ (x = 1-3) 在 296 +- 2 K 下使用选择离子流管技术。观察到所有反应都很快，可以理解为 Si/sup +/ 插入 NH 和 CN 键以形成 SiNR/sub 1/R/sub 2//sup +/ (r/sub 1 /, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/) 与氢阴离子转移竞争（在胺的情况下）形成 CH/sub 2/NR/sub 1/R/ 类型的亚铵离子sub 2//sup +/ (R/sub 1/, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/)。CN 键插入似乎比 NH 键插入更有效。氢化物离子转移的贡献随着亚铵离子稳定性的增加而增加。后一个反应直接导致 SiH 作为中性产物。观察到直接或间接导致SiCH和SiCH/sub

  DOI：

  10.1021/ja00216a010
• 作为产物：
  描述：

  硅烷 在 氨 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 silanimine, hydrogen salt
  参考文献：
  名称：

  硅离子（Si+ 与氨和胺 (CH3)xNH3-x(X = 1-3)）的气相反应：可能的离子-分子反应途径为 SiH、SiCH、SiNH、SiCH3、SiNCH3 和 H2SiNH

  摘要：

  已确定基态 Si/sup +/(/sup 2/P) 离子与氨和胺 (CH/sub 3/)/sub x/NH/sub 3 的气相反应的速率常数和产物分布-x/ (x = 1-3) 在 296 +- 2 K 下使用选择离子流管技术。观察到所有反应都很快，可以理解为 Si/sup +/ 插入 NH 和 CN 键以形成 SiNR/sub 1/R/sub 2//sup +/ (r/sub 1 /, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/) 与氢阴离子转移竞争（在胺的情况下）形成 CH/sub 2/NR/sub 1/R/ 类型的亚铵离子sub 2//sup +/ (R/sub 1/, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/)。CN 键插入似乎比 NH 键插入更有效。氢化物离子转移的贡献随着亚铵离子稳定性的增加而增加。后一个反应直接导致 SiH 作为中性产物。观察到直接或间接导致SiCH和SiCH/sub

  DOI：

  10.1021/ja00216a010

文献信息

• Laser vaporization /FTMS as a probe of silicon surface reactivity
  作者：William R. Creasy、Stephen W. McElvany

  DOI：10.1016/0039-6028(88)90597-3

  日期：1988.1

  relative intensities of product ions as a function of exposure are measured for some of the reagent gases. The results from laser vaporization/Fourier transform mass spectrometry (FTMS) are compared to studies of silicon surface reactions using other experimental techniques and to some secondary ion mass spectrometry (SIMS) results.

  摘要 将硅表面暴露于多种反应气体，然后进行激光汽化，除了会产生清洁硅表面典型的硅簇离子 (Si+n) 分布之外，还会产生异常离子。这些离子的出现与硅表面反应有关。已经研究了暴露于气体 NH3、XeF2、CF3I、O2、NO、CH3OH、H2O、C2H4、D2 和 CH4 后硅的激光汽化。对于某些反应气，测量了作为暴露函数的产物离子相对强度的变化。将激光汽化/傅里叶变换质谱 (FTMS) 的结果与使用其他实验技术的硅表面反应研究以及一些二次离子质谱 (SIMS) 结果进行比较。
• Selected ion flow drift tube studies of the reactions of Si⁺(²P) with HCl, H₂O, H₂S, and NH₃: Reactions which produce atomic hydrogen
  作者：J. Glosík、P. Zakouřil、W. Lindinger

  DOI：10.1063/1.470375

  日期：1995.10.15

  The reaction rate coefficients, k, for the reactions of ground-state Si+(2P) with HCl, H2O, H2S, and NH3, have been measured as a function of reactant ion/reactant neutral center-of-mass kinetic energy, KECM, in a selected ion flow drift tube (SIFDT) apparatus, operated with helium at a temperature 298±2 K. The values k of the studied reactions have very pronounced, negative energy dependencies; the rate coefficients decrease by about 1 order of magnitude as KECM increase from near thermal values to ∼2 eV. The results are interpreted in terms of a simple model assuming the reactions to proceed via the formation of long-lived complexes. These intermediate complexes decompose back to reactants or forward to products, the unimolecular decomposition rate coefficients for these reactions being k1 and k2, respectively. It is found that a power law of the form k−1/k2=const(KECM)m closely describes each reaction.