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Tribromsupersilylsilan | 283163-17-7

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Tribromsupersilylsilan
英文别名
Tribromo(tritert-butylsilyl)silane
Tribromsupersilylsilan化学式
CAS
283163-17-7
化学式
C12H27Br3Si2
mdl
——
分子量
467.229
InChiKey
UAULFNNIYDAYFQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    7.04
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    Tribromsupersilylsilansodium 作用下, 以 为溶剂, 以100%的产率得到tetrakis(tri-tert-butylsilyl)-tetrahedro-tetrasilane
    参考文献:
    名称:
    Supersilylsilane R*SiX3: Umwandlung in Disilane R*X2Si-SiX2R*, Silylene R*XSi, Cyclosilane (R*XSi)n, Disilene R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilan [1] / Supersilylsilanes R*SiX3: Conversion into Disilanes R*X2Si-SiX2R*, Silylenes R*XSi, Cyclosilanes (R*XSi)n, D isilenes R*XSi=SiXR*, Tetrasupersilyl-tetrahedro-tetrasilane [1]
    摘要:
    Supersilylmonohalosilanes R*R SiHCl(R* = Supersilyl = SitBu3)在65°C下与C6H6中的Na反应,或者在-78°C下与THF中的NaC10H8反应,形成双超硅基二硅烷R*RHSi-SiHRR*,其产率为定量(R = H,Me)或中等产率(R = Ph)。在后一种情况下,还在65°C下额外获得R*PhSiH2(仅与在65°C下的THF中的Na反应)。显然,超硅基硅化物NaSiHRR*作为中间体生成,它们与反应物R*RSiHCl反应,消除NaCl并形成R*RHSi-SiHRR*(R = H,Me)或R*RSiH2以及R*R Si(R = Ph)。硅烯中间体R*PhSi插入到反应物R*PhSiHCl和产物R*PhSiH2的SiH键中,形成双超硅基二硅烷R*PhSiH -SiClPhR*和R*PhSiH -SiHPhR*,它们在65°C下被Na还原为R*PhSiH2(在低温下通过NaC10H8还原为R*PhSiH-SiHPhR*)。在低温下,将NaR*添加到THF中的R*RSiHCl中,与NaCl消除形成R*2RSiH(R = H,Me)或R*RHSi-SiHRR*(R = Me),此外还有R*C1,或者R*RHSi-SiClRR*(R = Ph)以及R*H和NaR,而将R*PhSiHCl添加到NaR*中在低温下的THF中,结果形成NaSiPhR*2,此外还有R*H和NaCl。在后一种情况下(R = Ph),NaR*与R*PhSiHCl反应释放出硅烯R*PhSi,其瞬时存在性通过用Et3SiH捕获它来证实(形成R*Ph(Et3Si)-SiH)。随后,R*PhSi插入到R*PhSiHCl的SiH键中(将NaR*添加到R*PhSiHCl)或插入到NaR*的NaSi键中(将R*PhSiHCl添加到NaR*)。超硅基二卤代硅烷R*SiHCl2在65°C下通过Mg转化为环硅烷(R*SiH)n(n = 3, 4),并且在低温下通过Na转化为R*PhSiBrCl - 通过硅烯R*PhSi - 转化为双硅烯R*PhSi=SiPhR*,过量Na还原为阴离子自由基。超硅基三卤代硅烷R*SiBr2Cl、R*SiBr3和R*SiI3与Na、NaC10H8或NaR*在THF中反应,形成四超硅基四面体四硅烷(R*Si)4,产率定量,而R*SiCl3与LiC10H8在45°C下反应,只以中等产率形成(R*Si)4。显然,四面体烷是从R*SiHal3通过R*SiHal2Na和R*HalSi=SiHalR*作为反应中间体形成的。结果得出以下结论:(i)硅烯在“立体过载”的超硅基卤代硅烷R*R3-nSiHaln的脱卤作用中发挥作用;(ii)从易获得的反应物中合成(R*Si)4的高产率方法是将SiH2Cl2与NaR*进行超硅基化,用Br2对形成的超硅基硅烷R*SiH2Cl进行溴化,再用Na对溴化产物R*SiBr2Cl进行脱卤。
    DOI:
    10.1515/znb-2000-0510
  • 作为产物:
    描述:
    Chlorsupersilylsilan 在 lithium aluminium tetrahydride 、 作用下, 以 四氢呋喃二氯甲烷 为溶剂, 反应 12.0h, 生成 Tribromsupersilylsilan
    参考文献:
    名称:
    超甲硅烷基硅烷 R * SiX3:表征、表征和结构;取代基 X [1] / 超甲硅烷基硅烷 R * SiX3 的空间和范德华效应:合成、表征和结构;取代基 X 的空间和范德华效应 [1]
    摘要:
    超甲硅烷基硅烷 R * SiX3(R * = 超甲硅烷基 = SitBu3;X = H、Me、tBu、Ph、SiMe3、F、Cl、Br、I、OMe、OSO2CF3)通过 (i) 超甲硅烷基卤硅烷与超甲硅烷基钠 NaR 反应制备(Hal / R * 交换),(ii)通过超甲硅烷基卤硅烷与氢化物 H-(Hal / H 交换)的反应,(iii)通过超甲硅烷基硅烷与卤素 Hal2 的反应(H / Hal 交换,R * / Hal 交换),( iv) 通过超甲硅烷基硅烷与 F-、MeO- 等亲核试剂的反应(Hal / F 或 Hal / OMe 交换)和 (v) 通过超甲硅烷基硅烷与强酸的反应(H / OSO2CF3 交换)。R * SiX3 的 SiX3 基团的 NMR 化学位移 δ (29Si) 在很大程度上取决于 X 的性质。超甲硅烷基硅烷 R * SiX3 部分对湿气敏感(尤其是具有 SiX3≡
    DOI:
    10.1515/znb-2000-0509
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文献信息

  • Silylene R*XSi (R*=SitBu3; X=H, Me, Ph, Hal, R*): Bildung und Reaktionen
    作者:Nils Wiberg、Wolfgang Niedermayer
    DOI:10.1016/s0022-328x(01)00745-8
    日期:2001.5
    Thermolyses of disupersilylsilanes (R2SiX2)-Si-* (R* = supersilyl = (SiBu3)-Bu-t; X = H, Hal or H together with Me, Ph, Pr) at about 160 degreesC lead - besides R*X (R*H preferred to R*Br) - to silylenes R*XSi (X = H, Me, Ph, Pr), the intermediate existence of which is proven by trapping them with Et3SiH (formation of Et3Si-(R*XSi)-H), with I-2 (formation of I-(R*XSi)-I) or with CH2=CH-CH=CH2 (formation of [1+4] cycloadducts). The rate of R*X elimination increases in direction R-2*SiH2 < R-2*SiMeH < R-2*SiBrH and R-2*SiF2 < R-2*SiBr2 < R-2*SiI2. In addition, silylenes R*XSi are produced from monosupersilylsilanides R*XSiHalM (X = H, Ph, Hal; M = Na, MgHal) by MHal elimination at low temperatures and trapped by inserting them into SiH- or SiM-bonds of Et3SiH, R*PhClSiH, R*Na and R*XSiHalM. Thermolyses of R*SiX2Na (X = Cl, Pr, I) yield - via R*XSi - disilanides R*X2Si-(R*XSi)-Na which at about -20 degreesC eliminate NaX with formation of trans-configurated disilenes R*XSi=SiXR* as intermediates. In addition, R*SiCl2Na transforms into R*Cl2Si-(R*ClSi)(n)-Na (n = 2, 3) which eliminates NaCl with formation of cyclosilanes (R*ClSi)(n+1). Finally, disupersilylsilanides R-2*SiHalLi eliminate LiF at room temperature or LiCl at - 78 degreesC or LiBr at - 120 degreesC with formation of the silylene R-2*Si which stabilizes by formation of the silane R-2*SiH2 and the disilacyclobutane -R*HSi-(SiBu2)-Bu-t-CMe2-CH2- in the molar ratio 1:6. Possibly, in the latter case R-2*Si is not formed in the singulet state, as is usual with silylenes, but in the triplet state for the first time. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
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