N-(3-三甲氧基硅丙基)吡咯 | 80906-67-8

• 物质功能分类: 化学试剂 - 硅烷试剂
• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 中文名称: N-(3-三甲氧基硅丙基)吡咯
• 中文别名: 氮-(3-三甲氧基硅丙基)吡咯；N-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)吡咯；氮位-三甲氧基硅基丙基吡咯
• 英文名称: N-1-(3-(trimethoxysilyl)propyl)pyrrole
• 英文别名: N-[3-(trimethoxysilyl)propyl]pyrrole；N-(3-(trimethoxy silyl) propyl) pyrrole；N-(3-(trimethoxysilyl)-propyl)pyrrole；N-(3-trimethoxysilylpropyl)pyrrole；N-1-[3-(trimethoxysilyl)propyl]pyrrole；trimethoxy(3-pyrrol-1-ylpropyl)silane
• CAS: 80906-67-8
• 化学式: C₁₀H₁₉NO₃Si
• mdl: MFCD00054844
• 分子量: 229.351
• InChiKey: FTDRQHXSYGDMNJ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  105 °C
• 密度：
  1.017
• 闪点：
  >100°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.78
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.6
• 拓扑面积：
  32.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

安全信息

• TSCA：
  No
• 安全说明：
  S26,S36/37/39
• 危险类别码：
  R36/37/38
• 海关编码：
  2933990090

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  lithium pyrrolide 、 3-溴丙基三甲氧基硅烷 以 二甲基亚砜 为溶剂， 反应 8.0h， 生成 N-(3-三甲氧基硅丙基)吡咯
  参考文献：
  名称：

  一种促进聚吡咯薄膜与 N 型硅光阳极粘附的新型表面衍生试剂的合成与表征：N-(3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基)吡咯

  摘要：

  描述了 N-(3-(三甲氧基甲硅烷基-丙基)吡咯 (I) 作为可通过表面 OH 基团反应共价锚定到电极的光阳极衍生试剂) 的合成、表征和应用。然后用作聚吡咯聚合的引发位点。描述了用 I 和聚吡咯薄膜处理 Pt 和 n 型 Si 电极以保护半导体免受光阳极分解。经处理的 n 型 Si 电极改善了耐久性归因于当聚合物共价锚定到表面时，H/sub 2/O/电解质对聚合物的破坏较少。（BLM）

  DOI：

  10.1021/ja00371a045

文献信息

• Synthesis and characterization of a new surface derivatizing reagent to promote the adhesion of polypyrrole films to N-type silicon photoanodes: N-(3-(trimethoxysilyl)propyl)pyrrole
  作者：Richard A. Simon、Antonio J. Ricco、Mark S. Wrighton

  DOI：10.1021/ja00371a045

  日期：1982.4

  The synthesis, characterization, and application of N-(3-(trimethoxysilyl-propyl)pyrrole (I) as a photoanode derivatizing reagent that can be covalently anchored to the electrode via reaction of surface OH groups are described. The pendant group of I can then be used as the initiation site for polymerization of polypyrrole. The treatment of both Pt and n-type Si electrodes with I and films of polypyrrole

  描述了 N-(3-(三甲氧基甲硅烷基-丙基)吡咯 (I) 作为可通过表面 OH 基团反应共价锚定到电极的光阳极衍生试剂) 的合成、表征和应用。然后用作聚吡咯聚合的引发位点。描述了用 I 和聚吡咯薄膜处理 Pt 和 n 型 Si 电极以保护半导体免受光阳极分解。经处理的 n 型 Si 电极改善了耐久性归因于当聚合物共价锚定到表面时，H/sub 2/O/电解质对聚合物的破坏较少。（BLM）