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1,1,2,2,3,3-tetramethyl-1,3-diphenyltrisilane | 4098-97-9

中文名称
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中文别名
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英文名称
1,1,2,2,3,3-tetramethyl-1,3-diphenyltrisilane
英文别名
diphenylhexamethyltrisilane;1,3-diphenylhexamethyltrisilane;Ph(SiMe2)3Ph;Bis[dimethyl(phenyl)silyl]-dimethylsilane
1,1,2,2,3,3-tetramethyl-1,3-diphenyltrisilane化学式
CAS
4098-97-9
化学式
C18H28Si3
mdl
——
分子量
328.677
InChiKey
XKRMQLJCCJGQGH-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    145-150 °C(Press: 0.05 Torr)
  • 密度:
    0.92±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    4.08
  • 重原子数:
    21
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.33
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1,1,2,2,3,3-tetramethyl-1,3-diphenyltrisilane 以 various solvent(s) 为溶剂, 生成 dimethylsilylene
    参考文献:
    名称:
    二甲基亚硅烷:作为新的光化学前体的丙硅烷和孪晶二叠氮化物。450 nm 附近最大吸收的证据
    摘要:
    Le diazido二甲基硅烷 et le diphenyl-1,3 hexamethyltrisia sont comme de nouveaux precurseurs du dimethylsilylene
    DOI:
    10.1021/ja00299a067
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    苯基二甲基甲硅烷基锂试剂的制备,分析及与甲硅烷基烯醇醚的反应
    摘要:
    在迅速形成乙硅烷后,通过缓慢裂解1,1,2,2-四甲基-1,2-二苯基乙硅烷的Si-Si键,由锂和苯基二甲基甲硅烷基氯形成苯基二甲基甲硅烷基锂。由甲硅烷基氯通过与锂金属表面上的氧化物和氢氧化物反应而产生的1,1,2,2-四甲基-1,2-二苯基二硅氧烷被二甲基(苯基)甲硅烷基锂裂解,得到二甲基(苯基)甲硅烷基锂。二甲基(苯基)甲硅烷基锂与1,2-二溴乙烷反应生成二甲基(苯基)甲硅烷基溴化物,该溴化物被过量的甲硅烷基锂试剂迅速消耗,以至于不会干扰用于测量其浓度的两次滴定。通过甲硅烷基锂试剂的质子化反应生成的二甲基(苯基)硅烷也被甲硅烷基锂试剂消耗,得到1,1,2,2-四甲基-1,2-二苯基乙硅烷,只要锂仍然存在,它就可以再生甲硅烷基锂试剂。制备二甲基(苯基)甲硅烷基锂的副产物包括1,3-二苯基-1、1、2、2、3、3-六甲基三硅烷,二甲基二苯基硅烷和1,4-双[二甲基(苯基)甲硅烷基]苯。二甲
    DOI:
    10.1039/a709111g
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文献信息

  • An Electroreductive Approach to Radical Silylation via the Activation of Strong Si–Cl Bond
    作者:Lingxiang Lu、Juno C. Siu、Yihuan Lai、Song Lin
    DOI:10.1021/jacs.0c10899
    日期:2020.12.23
    In this context, reactions mediated by silyl radicals have become increasingly attractive but methods for accessing these intermediates remain limited. We present a new strategy for silyl radical generation via electroreduction of readily available chlorosilanes. At highly biased potentials, electrochemistry grants access to silyl radicals through energetically uphill reductive cleavage of strong
    C(sp3)-Si 键的构建在合成、医药和材料化学中很重要。在这种情况下,由甲硅烷基介导的反应变得越来越有吸引力,但获得这些中间体的方法仍然有限。我们提出了一种通过电还原容易获得的氯硅烷来生成甲硅烷基自由基的新策略。在高度偏置的电位下,电化学通过强 Si-Cl 键的能量上坡还原裂解获得甲硅烷基自由基。事实证明,该策略在简单且无过渡金属条件下的各种烯烃甲硅烷化反应中是通用的,包括二甲硅烷基化、氢化甲硅烷基化和烯丙基甲硅烷基化。
  • Polymeric organosilicon systems. XXIX. Thermal properties of poly[(disilanylene)oligophenylenes]
    作者:Joji Ohshita、Kazunori Sugimoto、Tsuguo Watanabe、Atsutaka Kunai、Mitsuo Ishikawa、Susumu Aoyama
    DOI:10.1016/s0022-328x(98)00702-5
    日期:1998.8
    Thermal properties of variously substituted poly[(disilanylene)oligophenylenes], [(SiR1R2SiR1R2)(p-C6H4)m]n (R1=R2=Me, R1=R2=Et, and R1=Ph, R2=Me, m=1–4) were investigated. The thermogravimetric analysis of the polymers in the range of 20–1000°C showed rapid weight loss starting from about 400°C. The total weight loss of the polymers at 1000°C was calculated to be 54.5–75.5% based on the initial weight
    各种取代的聚[(二亚硅烷基)低聚亚苯基],[(SiR 1 R 2 SiR 1 R 2)(p -C 6 H 4)m ] n(R 1 = R 2 = Me,R 1 = R 2 = Et,R 1 = Ph,R 2 = Me,m= 1–4)进行了调查。在20–1000°C范围内对聚合物进行热重分析表明,从约400°C开始,重量迅速下降。基于聚合物的初始重量,聚合物在1000°C时的总重量损失为54.5-75.5%。对聚合物进行热解得到的挥发性产物的GC-MS分析,其中R 1 = R 2 = Me,m = 2,R 1 = R 2 = Et,m = 1–4在500°C时表明形成了硅Si-Si和Si-亚苯基键断裂产生的含低聚物,主要是。H(C 6 H 4)l H(l在m = 3和4的聚合物的热解中也观察到了= 1–4)。还使用1,2-二苯基四甲基二硅烷检查了聚合物降解的模型反应。
  • 一种硅烷桥联发光材料及其制备方法、应用和显色剂
    申请人:杭州师范大学
    公开号:CN111320647B
    公开(公告)日:2022-08-30
    本发明涉及检测技术领域,公开了一种硅烷桥联发光材料及其制备方法、应用和显色剂,该硅烷桥联发光材料具有如式(I)所示的结构,n为1~20的自然数;R1为共轭发光基团。该硅烷桥联发光材料的制备方法为:将含有共轭发光基团的氯代物经锂化,再与氯硅烷或三氟甲磺酰硅烷反应。本发明利用硅‑硅的σ电子来精确调控发光材料的性质,获得的发光材料显示出高的光稳定性,强发光效率,同时几乎保留了发光团的原始颜色,并且该发光材料具有较好的亲脂性,提高了其与皮脂结合的能力。所述显色剂包括本发明的硅烷桥联发光材料和乙腈,可应用于潜指纹显示领域,实现易于操作,快速且高分辨率的潜指纹可视化成像。
  • Hydrogen‐Bridged Oligosilanylsilyl Mono‐ and Oligosilanylsilyl Dications
    作者:Jelte P. Nimoth、Thomas Müller
    DOI:10.1002/chem.202104318
    日期:2022.2.16
    The presence of multiple Si−H functionalities in one molecule is used to generate at low temperatures oligosilane-based mono- and dications that are stabilized by intramolecular 3c2e Si−H−Si bridges. For the oligosilanylsilyl monocation, a rapid intramolecular Si−H group exchange is monitored by NMR spectroscopy at low temperatures. This dynamic process is not observed for the corresponding dication
    一个分子中存在多个Si-H 官能团可用于在低温下生成基于低聚硅烷的单阳离子和双阳离子,这些单阳离子和双阳离子通过分子内 3c2e Si-H-Si 桥键稳定。对于低聚硅烷基单阳离子,在低温下通过 NMR 光谱监测快速的分子内 Si-H 基团交换。对于相应的词典,没有观察到这种动态过程。根据获得的 NMR 数据,两个阳离子 Si-H-Si 桥都被三硅烷基骨架电子隔离。
  • Conductive Molecular Silicon
    作者:Rebekka S. Klausen、Jonathan R. Widawsky、Michael L. Steigerwald、Latha Venkataraman、Colin Nuckolls
    DOI:10.1021/ja211677q
    日期:2012.3.14
    Bulk silicon, the bedrock of information technology, consists of the deceptively simple electronic structure of just Si-Si σ bonds. Diamond has the same lattice structure as silicon, yet the two materials have dramatically different electronic properties. Here we report the specific synthesis and electrical characterization of a class of molecules, oligosilanes, that contain strongly interacting Si-Si
    体硅是信息技术的基石,它由看似简单的 Si-Si σ 键电子结构组成。金刚石具有与硅相同的晶格结构,但这两种材料具有截然不同的电子特性。在这里,我们报告了一类分子低聚硅烷的具体合成和电学表征,这些分子含有强相互作用的 Si-Si σ 键,这是大块半导体的基本成分。我们使用基于扫描隧道显微镜的断裂连接技术来比较这些低聚硅烷与烷烃的单分子电导率。我们发现分子电导随着链长的增加呈指数下降,衰减常数 β = 0.27 ± 0.01 Å(-1),与 C=C π 键的共轭链相当。
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