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(η5-methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV) | 94442-22-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
(η5-methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV)
英文别名
(η5-cyclopentadienylmethyl)-trimethylplatinum;(η5-methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum;(methylcyclopentadienyl)trimethyl platinum(IV);(trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV);timethyl(methylcyclopentadienyl)platinum(IV);(methylcyclopentadienyl) trimethylplatinum
(η5-methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV)化学式
CAS
94442-22-5
化学式
C9H16Pt
mdl
——
分子量
319.306
InChiKey
RVIGUIBIMBQJPM-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 相关功能分类
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物化性质

  • 熔点:
    26-29 °C(lit.)
  • 沸点:
    23°C 0,05mm
  • 密度:
    1.88
  • 闪点:
    131 °F
  • 暴露限值:
    ACGIH: TWA 0.002 mg/m3NIOSH: IDLH 4 mg/m3; TWA 0.002 mg/m3

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

安全信息

  • TSCA:
    Yes
  • 危险品标志:
    Xi
  • 安全说明:
    S22,S24/25
  • 危险类别码:
    R36/37/38
  • WGK Germany:
    3
  • 海关编码:
    2902199090
  • 危险标志:
    GHS06,GHS09
  • 危险性描述:
    H300 + H310,H317,H400
  • 危险性防范说明:
    P264,P273,P280,P301 + P310,P302 + P350,P310

SDS

SDS:aa8aee77351d0c517e25bc3949a2739c
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反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    (η5-methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV) 以 gaseous matrix 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    Gas-phase kinetics of ground-state platinum with O2,NO, N2Oand CH4
    摘要:
    报告了基态铂与O2、NO、N2O和CH4的气相反应性。铂原子是通过[Pt(CH3)3(C5H4CH3)]的光解离产生的,并通过激光诱导荧光检测。铂与所有反应物的反应速率与压力有关,表明了加合物的形成;然而,与N2O的反应具有双分子成分。在氩气缓冲液中,室温下极限低压三阶速率常数分别为(2.3±0.2)×10-31分子-2厘米6秒-1、(4.3±0.4)×10-31分子-2厘米6秒-1、(3.7±0.5)×10-31分子-2厘米6秒-1和(2.1±0.9)×10-28分子-2厘米6秒-1,分别用于O2、NO、N2O和CH4,其中不确定度为±2σ。极限高压二阶速率常数分别为(2.5±0.5)×10-12分子-1厘米3秒-1、(2.3±0.8)×10-11分子-1厘米3秒-1、(2.3±0.3)×10-12分子-1厘米3秒-1和(6.3±0
    DOI:
    10.1039/a705892f
  • 作为产物:
    描述:
    2-甲基环戊并-1,3-二烯三甲基碘化铂正丁基锂 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 1.0h, 以94%的产率得到(η5-methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV)
    参考文献:
    名称:
    Weakly-coordinated stable platinum nanocrystals
    摘要:
    稳定的小直径 (1.0–2.3 nm) 铂纳米晶体可长期稳定、尺寸分布窄,无需任何额外的乙二醇、甘油、离子液体 (IL) 1-n-丁基 稳定剂即可轻松且可重复地制备四氟硼酸-3-甲基咪唑鎓[BMIm][BF4]和N-丁基-N-三甲基铵双(三氟甲基磺酰基)亚胺[N4111][NTf2]或二苯甲烷(CH2Ph2)通过热、光解或微波辅助分解有机金属前体甲基环戊二烯基三甲基铂(IV),(MeCp)PtMe3。易于分配、空气和湿气稳定的有机金属 Pt(IV) 前体 (MeCp)PtMe3 的分解可产生轮廓分明、小、结晶且长期稳定的 Pt 纳米颗粒 (Pt-NP) 分散体,无需任何额外的表面封端配体。 Pt-NP/IL 分散体被证明是一种高活性催化剂(TOF 96 000 h−1,0.0125 mol% Pt 和定量转化),用于苯乙炔与三乙基硅烷的双相氢化硅烷化,生成远端和近端产物三乙基(2-和1-苯基乙烯基)硅烷。
    DOI:
    10.1039/c2ce25904d
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文献信息

  • Surface reactions during atomic layer deposition of Pt derived from gas phase infrared spectroscopy
    作者:W. M. M. Kessels、H. C. M. Knoops、S. A. F. Dielissen、A. J. M. Mackus、M. C. M. van de Sanden
    DOI:10.1063/1.3176946
    日期:2009.7.6
    Infrared spectroscopy was used to obtain absolute number information on the reaction products during atomic layer deposition of Pt from (methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum [(MeCp)PtMe3] and O2. From the detection of CO2 and H2O it was established that the precursor ligands are oxidatively decomposed during the O2 pulse mainly. Oxygen atoms chemisorbed at the Pt lead to likewise ligand oxidation
    在从(甲基环戊二烯基)三甲基 [(MeCp)PtMe3] 和 O2 原子层沉积 Pt 期间,使用红外光谱获得反应产物的绝对数量信息。从 CO2H2O 的检测确定前体配体主要在 O2 脉冲期间氧化分解。在 (MeCp)PtMe3 脉冲期间,化学吸附在 Pt 上的氧原子同样导致配体氧化,但是检测到几乎相等密度的 和 CH4 也揭示了同时发生的配体释放反应。发现的化学吸附氧原子的表面覆盖率与表面科学研究报告的饱和覆盖率一致。
  • Method for producing organometallic compounds
    申请人:——
    公开号:US20040010158A1
    公开(公告)日:2004-01-15
    This invention relates to liquid cyclopentadienyltrimethylplatinum compounds selected from (isopropylcyclopentadienyl)trimethylplatinum and (tert-butylcyclopentadienyl)trimethylplatinum. This invention also relates to a process for producing a film, coating or powder by decomposing a cyclopentadienyltrimethylplatinum compound precursor selected from (isopropylcyclopentadienyl)trimethylplatinum and (tert-butylcyclopentadienyl)-trimethylplatinum, thereby producing the film, coating or powder. This invention further relates to a one pot method for producing an organometallic compound comprising reacting a metal source compound, an alkylating agent and a cyclopentadienyl compound under reaction conditions sufficient to produce said organometallic compound.
    本发明涉及从(异丙基环戊二烯基)三甲基和(叔丁基环戊二烯基)三甲基中选择的液态环戊二烯基三甲基化合物。本发明还涉及通过分解选自(异丙基环戊二烯基)三甲基和(叔丁基环戊二烯基)三甲基环戊二烯基三甲基化合物前体来产生薄膜、涂层或粉末的方法。本发明还涉及一种一锅法制备有机属化合物的方法,包括在足以产生所述有机属化合物的反应条件下,反应属源化合物、烷基化剂和环戊二烯基化合物。
  • Contact Properties of Pt/RuO[sub 2]/Ru Electrode Structure Integrated on Polycrystalline Silicon
    作者:Eun-Suck Choi、Jun-Sik Hwang、Soon-Gil Yoon
    DOI:10.1149/1.1393532
    日期:——
    temperatures above 700°C in O 2 ambient. On the other hand, the barrier layers of RuO 2 /Ru formed by dc sputtering showed severe intermixing and strongly influenced the platinum morphology at high temperature annealing. Contacts in Pt/MOCVD(RuO 2 /Ru)/poly-Si and Pt/dc sputtered (RuO 2 /Ru)/poly-Si structures showed the specific contact resistance of 5.0 x 10 - 5 and 2.0 x 10 -3 Ω cm 2 , respectively. The barrier
    通过属有机化学气相沉积(MOCVD)和直流磁控溅射制备了Pt/RuO 2 /Ru/poly-Si(多晶)结构的RuO 2 /Ru缓冲层。MOCVD沉积的RuO 2 /Ru阻挡层显示出稳定的界面,即使在800℃的高退火温度下也不影响底电极的表面形貌。在 O 2 环境中,在高于 700°C 的退火温度下,阻挡层有效地防止了 Pt、O 和 Si 的相互扩散。另一方面,通过直流溅射形成的RuO 2 /Ru 阻挡层表现出严重的混合,并强烈影响高温退火时的形貌。Pt/MOCVD(RuO 2 /Ru)/poly-Si 和 Pt/dc 溅射 (RuO 2 /Ru)/poly-Si 结构中的接触显示出 5.0 x 10 - 5 和 2 的特定接触电阻。分别为 0 x 10 -3 Ω cm 2 。通过MOCVD在Pt/RuO 2 /Ru/poly-Si结构中形成的RuO 2 /Ru阻挡层对于高介电常数(Ba
  • Area-Selective Atomic Layer Deposition of Platinum on YSZ Substrates Using Microcontact Printed SAMs
    作者:Xirong Jiang、Stacey F. Bent
    DOI:10.1149/1.2789301
    日期:——
    low as 18.3 μΩ cm. The use of area-selective ALD to deposit patterned Pt has also been investigated. By coating these same substrates with octadecyltrichlorosilane (ODTS) self-assembled monolayers (SAMs), Pt ALD can be successfully blocked. Furthermore, it is shown that by transferring the ODTS SAMs to the substrates by microcontact printing (μCP) using patterned stamps, platinum thin films are grown
    使用(甲基环戊二烯基)三甲基 (MeCPPtMe 3 ) 和氧作为前驱体,通过原子层沉积 (ALD) 在氧化稳定的氧化锆 (YSZ)、固体氧化物电解质以及氧化物覆盖的表面上沉积了 Pt . 已经进行了非原位分析以检查沉积态和退火后的 Pt 薄膜的特性。X 射线光电子能谱测量表明沉积的 Pt 薄膜中没有可检测到的杂质,四点探针测量表明 30.2 nm 薄膜的电阻率低至 18.3 μΩ cm。还研究了使用区域选择性 ALD 来沉积图案化 Pt。通过用十八烷基三硅烷 (ODTS) 自组装单层 (SAM) 涂覆这些相同的基板,可以成功地阻止 Pt ALD。此外,结果表明,通过使用图案化印章通过微接触印刷 (μCP) 将 ODTS SAM 转移到基板上,薄膜在无 SAM 的表面区域上选择性地生长。尺寸小至 2 μm 的特征已通过这种组合的 ALD-μCP 方法沉积;分辨率受印刷图案的限制,
  • Atomic layer deposition synthesis of platinum–tungsten carbide core–shell catalysts for the hydrogen evolution reaction
    作者:Irene J. Hsu、Yannick C. Kimmel、Xiaoqiang Jiang、Brian G. Willis、Jingguang G. Chen
    DOI:10.1039/c1cc15812k
    日期:——
    Pt was deposited onto tungsten carbide powders using atomic layer deposition to produce core-shell catalysts for the hydrogen evolution reaction (HER). The Pt loading on these catalysts was reduced nearly ten-fold compared to a bulk Pt catalyst while equivalent HER activities were observed.
    使用原子层沉积将Pt沉积到碳化钨粉末上,以生产用于氢释放反应(HER)的核-壳催化剂。与大量的Pt催化剂相比,这些催化剂上的Pt负载降低了近十倍,同时观察到了相等的HER活性。
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