N-(3-三甲氧基硅丙基)甲酰胺 | 88542-71-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 中文名称: N-(3-三甲氧基硅丙基)甲酰胺
• 英文名称: N-(3-trimethoxysilylpropyl)formamide
• 英文别名: N-[3-(Trimethoxysilyl)propyl]formamide
• CAS: 88542-71-6
• 化学式: C₇H₁₇NO₄Si
• 分子量: 207.302
• InChiKey: FKYZKSCWBQYDSO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.0
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.86
• 拓扑面积：
  56.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-(3-三甲氧基硅丙基)甲酰胺 、 1,6-己二异氰酸酯 生成
  参考文献：
  名称：

  SILANE MODIFIED FORMAMIDES

  摘要：

  该发明涉及用于粘接和/或密封不同基材的新型硅烷改性甲酰胺和/或预聚合物，例如金属、木材、玻璃和/或塑料。该发明还涉及一种包括所述硅烷改性甲酰胺和/或预聚合物的反应性单组分胶粘系统。

  公开号：

  US20160340371A1
• 作为产物：
  描述：

  甲酸甲酯 、 硅烷偶联剂 KH-540 在 氮 作用下， 反应 3.0h， 以yielding the desired N-(3-trimethoxysilylpropyl)formamide的产率得到N-(3-三甲氧基硅丙基)甲酰胺
  参考文献：
  名称：

  N-silylalkylamides and their use as adhesion promoters in room

  摘要：

  N-硅烷基烷基酰胺在室温可硫化组合物中作为粘附促进剂非常有用，该组合物包括聚烷氧基硅烷端基聚二有机硅氧烷。首选的甲酰胺是新型化合物。

  公开号：

  US04826915A1

文献信息

• N-Silylalkylamides and their use as adhesion promoters in room
  申请人：General Electric Company

  公开号：US04788310A1

  公开（公告）日：1988-11-29

  N-Silylalkylamides are useful as adhesion promoters in room temperature vulcanizable compositions comprising polyalkoxysilyl-terminated polydiorganosiloxanes. The formamides, which are preferred, are novel compounds.

  N-硅烷烷基酰胺在室温硫化组合物中作为粘接促进剂非常有用，该组合物包括聚矽氧烷末端的聚二有机硅氧烷。其中，首选的甲酰胺是新颖的化合物。
• SILANE-MODIFIED FORMAMIDES
  申请人：Covestro Deutschland AG

  公开号：US20160340372A1

  公开（公告）日：2016-11-24

  The invention relates to novel silane-modified formamide-polymers and/or pre-polymers for bonding and/or sealing diverse substrate materials, such as, for example metal, wood, glass and/or plastic. The invention also relates to a reactive single-component adhesive system comprising the claimed silane-modified formamide polymers.

  该发明涉及用于粘接和/或密封不同基材的新型硅烷改性甲酰胺聚合物和/或前聚物，例如金属、木材、玻璃和/或塑料。该发明还涉及一种包括所述硅烷改性甲酰胺聚合物的反应性单组分粘合系统。
• STEIN, JUDITH;WENGROVIUS, JEFFREY H.;ENGLE, LORI P.;GROSS, DAVID C.;HALLG+
  作者：STEIN, JUDITH、WENGROVIUS, JEFFREY H.、ENGLE, LORI P.、GROSS, DAVID C.、HALLG+

  DOI：——

  日期：——