一种促进聚吡咯薄膜与 N 型硅光阳极粘附的新型表面衍生试剂的合成与表征:N-(3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基)吡咯
摘要:
描述了 N-(3-(三甲氧基甲硅烷基-丙基)吡咯 (I) 作为可通过表面 OH 基团反应共价锚定到电极的光阳极衍生试剂) 的合成、表征和应用。然后用作聚吡咯聚合的引发位点。描述了用 I 和聚吡咯薄膜处理 Pt 和 n 型 Si 电极以保护半导体免受光阳极分解。经处理的 n 型 Si 电极改善了耐久性归因于当聚合物共价锚定到表面时,H/sub 2/O/电解质对聚合物的破坏较少。(BLM)