三甲基锗 | 21941-60-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物
• 中文名称: 三甲基锗
• 英文名称: trimethyl germanium
• 英文别名: Trimethylgermanylradikal
• CAS: 21941-60-6
• 化学式: C₃H₉Ge
• 分子量: 117.694
• InChiKey: WLKSSWJSFRCZKL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.37
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  四甲基锗 生成 三甲基锗
  参考文献：
  名称：

  快速热解真空紫外光电离飞行时间质谱法热分解四甲基硅烷和四甲基锗烷

  摘要：

  摘要 使用快速热解真空紫外单光子电离飞行时间质谱 (VUV-SPI-TOFMS) 在 20-100 μs 的短时间尺度上研究了四甲基硅烷 (TMS) 和四甲基锗烷 (TMG) 的热分解。TMS 和 TMG 的初级分解通过失去甲基自由基而发生，分别形成 Si(CH 3 ) 3 和 Ge(CH 3 ) 3 。Si(CH 3 ) 3 和Ge(CH 3 ) 3 自由基都经历了第二个甲基自由基的二次损失，分别形成:Si(CH 3 ) 2 和:Ge(CH 3 ) 2 。之前未观察到的 TMS 二次分解过程包括从 Si(CH 3 ) 3 失去 H 原子，然后消除 H 2 以形成 SiC 3 H 8 、SiC 3 H 6 和 SiC 3 H 4 。在 TMG 热解中观察到第三个和第四个甲基自由基的连续损失以及 Ge 和 Ge 2 的显着形成。TMS 热解中第三个甲基自由基的损失并不显着，而可能会产生 Si

  DOI：

  10.1016/j.ijms.2014.09.006

文献信息

• Molecular Beam Photochemistry of Organopolysilanes and Organopolygermanes
  作者：Ian Borthwick、Lawrence C. Baldwin、Mark Sulkes、Mark J. Fink

  DOI：10.1021/om990880u

  日期：2000.1.1

  cyclic precursors (Me2Si)6 and 1,3-diphenyl-1,2,2,3-tetramethyl-1,2,3-trisilacycloheptane. Likewise, dimethylgermylene (Me2Ge:) was directly observed in the photolysis of (Me2Ge)6. One-photon photolysis of the noncyclic polysilanes PhMeSi(SiMe3)2 and PhSi(SiMe3)3, however, gave radical products derived from the homolytic scission of a single Si−Si bond with little or no evidence of silylene being generated

  研究了各种聚硅烷和聚锗烷的分子束光化学。在大多数情况下，前体化合物是通过193 nm激光在超音速喷射器的喷嘴区域中进行光解，然后通过118 nm光电离脉冲随后进行飞行时间质谱分析在下游对光产物进行分析。本研究中包括的聚硅烷和聚锗烷化合物为PhMeSi（SiMe 3）2，PhSi（SiMe 3）3，（Me 2 Si）6，（Me 2 Ge）6和1,3-二苯基-1,2,2 ，3-四甲基-1,2,3-三硅杂环庚烷。PhSiMe 3，Me 3 SiSiMe 3的193 nm光产物还比较了乙烯基三甲基硅烷和乙烯基三甲基硅烷。直接观察到二甲基亚甲硅烷基（Me 2 Si :)是环状前体（Me 2 Si）6和1,3-二苯基-1,2,2,3-四甲基-1,2,3-的主要单光子光产物。三硅环庚烷。同样地，在（Me 2 Ge）6的光解中直接观察到二甲基亚锗烯（Me 2 Ge :) 。非环状聚硅烷PhMeSi（森达的
• Clark, K. Brady; Griller, David, Organometallics, 1991, vol. 10, # 3, p. 746 - 750
  作者：Clark, K. Brady、Griller, David

  DOI：——

  日期：——
• Thermal stability of methyl groups on silicon(100) generated by the decomposition of tetramethylgermane
  作者：C. Michael Greenlief、Debra Ann Klug

  DOI：10.1021/j100192a045

  日期：1992.6

  The adsorption and thermal decomposition of tetramethylgermane on Si(100) have been studied by ultraviolet photoelectron spectroscopy, static secondary ion mass spectrometry, temperature-programmed desorption, and Auger electron spectroscopy. Tetramethylgermane adsorbs molecularly on Si(100) at 110 K. In temperature-programmed desorption experiments, most of the tetramethylgermane reversibly desorbs at 141 +/- 4 K. The remaining tetramethylgermane decompose at higher surface temperatures by breaking of a C-Ge bond resulting in the formation of a methyl group and Ge(CH3)3, the latter evolving into the gas phase. Further heating causes decomposition of the methyl group. The hydrogen atoms released by methyl group decomposition form surface Si monohydrides, which later combine to desorb molecular H-2. The methyl groups decompose with a pseudo-first-order preexponential of (1 +/- 5) x 10(8) s-1 and an activation energy of 29 +/- 1 kcal mol-1.