tin(IV) ethoxide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tin(IV) ethoxide
• 英文别名: tetraethyl titanate；tin tetraethoxide；tetraethoxytin；Ethanolate;tin(4+)；ethanolate;tin(4+)
• 化学式: C₈H₂₀O₄Sn
• 分子量: 298.954
• InChiKey: FPADWGFFPCNGDD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.57
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  36.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tin(IV) ethoxide 以83%的产率得到四乙基锡
  参考文献：
  名称：

  Maire, J. C., Annales de Chimie (Cachan, France), 1961, vol. 6, p. 969 - 1026

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  叔丁氧基锡(IV) 在 C₂H₅OH 作用下， 以 乙醇 、 甲苯 为溶剂， 生成 tin(IV) ethoxide
  参考文献：
  名称：

  Hampden-Smith, Mark J.; Smith, Debbie E.; Duesler, Eileen N., Inorganic Chemistry, 1989, vol. 28, # 18, p. 3399 - 3401

  摘要：

  DOI：
• 作为试剂：
  描述：

  2-溴苯乙酮 在 tin(IV) ethoxide lithium aluminium deuteride 作用下， 以 乙醚 、 甲苯 为溶剂， 反应 20.0h， 生成 甲基苯甲醇-D1
  参考文献：
  名称：

  乙醇锡（IV）催化的氢化物从醇类向羰基化合物的转移

  摘要：

  在非质子传递性非极性溶剂中，已证明乙醇锡（IV）是一种有效的催化剂，可用于从醇到羰基化合物的选择性氢化物转移。伯醇，仲醇和苄醇显示出氢化物给体能力，并且该能力按照苄基仲醇>伯醇的顺序降低。研究了氢化物从1-苯基乙醇转移到环己酮的机理。推断催化按以下顺序进行：（a）Sn IV的醇解乙醇化物形成混合的金属醇盐，（b）受体与金属的配位，（c）氢化物直接从醇盐部分转移至配位的羰基化合物，并损失了活性催化剂。动力学同位素效应测量和其他数据表明，步骤（c）是反应的速率决定步骤。

  DOI：

  10.1039/p29800000407

文献信息

• [EN] ORGANOMETALLIC COMPOUNDS AND METHODS FOR THE DEPOSITION OF HIGH PURITY TIN OXIDE<br/>[FR] COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT D'OXYDE D'ÉTAIN DE HAUTE PURETÉ
  申请人：SEASTAR CHEMICALS INC

  公开号：WO2019023797A1

  公开（公告）日：2019-02-07

  Disclosed herein are compounds useful for the deposition of high purity tin oxide. Also disclose are methods for the deposition of tin oxide films using such compounds. Such films demonstrate high conformality, high etch selectivity and are optically transparent. Such compounds are those of the Formula as follows R x -Sn-A 4-x wherein: A is selected from the group consisting of (Y a R' z ) and a 3- to 7-membered N- containing heterocyclic group; each R group is independently selected from the group consisting of an alkyl or aryl group having from 1 to 10 carbon atoms; each R' group is independently selected from the group consisting of an alkyl, acyl or aryl group having from 1 to 10 carbon atoms; x is an integer from 0 to 4; a is an integer from 0 to 1; Y is selected from the group consisting of N, O, S, and P; and z is 1 when Y is O, S or when Y is absent and z is 2 when Y is N or P.

  本文揭示了用于沉积高纯度氧化锡的化合物。还披露了使用这些化合物进行氧化锡薄膜沉积的方法。这些薄膜表现出高一致性、高刻蚀选择性并具有光学透明性。这些化合物的化学式如下：Rx-Sn-A4-x，其中：A选自(YaR'z)和含有3至7个成员的含氮杂环基团的群；每个R基独立地选自具有1至10个碳原子的烷基或芳基群；每个R'基独立地选自具有1至10个碳原子的烷基、酰基或芳基群；x为0至4的整数；a为0至1的整数；Y选自N、O、S和P的群；z为1（当Y为O、S或Y不存在时）或z为2（当Y为N或P时）。
• SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20200348591A1

  公开（公告）日：2020-11-05

  A semiconductor photoresist composition includes an organometallic compound represented by Chemical Formula 1, an organometallic compound represented by Chemical Formula 2, and a solvent, and a method of forming patterns using the same. When the semiconductor photoresist composition is irradiated with e.g., extreme ultraviolet light, radical crosslinking between Sn-containing units may occur via Sn—O—Sn bond formation, and a photoresist polymer providing excellent sensitivity, small or reduced line edge roughness, and/or excellent resolution may be formed.

  一种半导体光刻胶组合物包括化学式1代表的有机金属化合物，化学式2代表的有机金属化合物和溶剂，并使用该组合物形成图案的方法。当半导体光刻胶组合物受到例如极紫外光的照射时，Sn含单位之间可能通过Sn—O—Sn键形成进行自由基交联，从而形成提供出色灵敏度、小或降低的线边粗糙度和/或出色分辨率的光刻胶聚合物。
• [EN] ORGANOMETALLIC COMPOUNDS FOR THE DEPOSITION OF HIGH PURITY TIN OXIDE AND DRY ETCHING OF THE TIN OXIDE FILMS AND DEPOSITION REACTORS<br/>[FR] COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES POUR LE DÉPÔT D'OXYDE D'ÉTAIN DE HAUTE PURETÉ, GRAVURE SÈCHE DES FILMS D'OXYDE D'ÉTAIN ET RÉACTEURS DE DÉPÔT
  申请人：SEASTAR CHEMICALS ULC

  公开号：WO2021038523A1

  公开（公告）日：2021-03-04

  Specific organometallic compounds of Formula I: Qx-Sn-(A1R1' z)4-x or Formula II: Sn(NR2(CH2)nA2)2 useful for the deposition of high purity tin oxide, as well as methods of using such compounds are disclosed. Also disclosed are compositions of organometallic compounds useful for the deposition of high purity tin oxide that in combination improve stability. Also disclosed are processes for dry etching tin oxide with a particular etchant gas and/or a process for dry etching a substrate using a particular etchant gas with a specific additive.

  公开了公式I的特定有机金属化合物：Qx-Sn-(A1R1' z)4-x或公式II：Sn(NR2(CH2)nA2)2，用于沉积高纯度氧化锡，以及使用这些化合物的方法。还公开了用于沉积高纯度氧化锡的有机金属化合物组合，组合改善稳定性。还公开了使用特定蚀刻气体干法蚀刻氧化锡的方法，以及使用特定添加剂和特定蚀刻气体干法蚀刻基板的方法。
• Synthesis and Characterization of Homogeneous Germanium-Substituted Tin Oxide by Using Sol–Gel Method
  作者：Chika Nozaki、Kenji Tabata、Eiji Suzuki

  DOI：10.1006/jssc.2000.8897

  日期：2000.11

  Synthesis of a rutile-type germanium-substituted tin oxide with (110) face was investigated. The characterization was performed by XRD, SEM, TEM, EDX, IR, XPS, and BET surface area measurements. When the percentage of germanium contained was less than 10 wt%, the homogeneous rutile-type germanium-substituted tin oxide was obtained. The obtained oxide had a homogeneously germanium-substituted (110)

  研究了具有（110）面的金红石型锗取代的氧化锡的合成。通过XRD，SEM，TEM，EDX，IR，XPS和BET表面积测量进行表征。当锗的含量小于10wt％时，获得均质的金红石型锗取代的氧化锡。所获得的氧化物具有均匀的锗取代的（110）面。
• Behaviour of some lead(IV) and tin(IV) compounds in disulphoric acid
  作者：R.C. Paul、J.K. Puri、K.C. Malhotra

  DOI：10.1016/0022-1902(73)80551-2

  日期：1973.2

  Lead and tin tetraacetates form H2[Pb(HSO4)6] and H2[Sn(HSO4)6] in disulphuric acid which behave as weak acids of the system. Tin tetraethoxide, tetraphenyl tin, triphenyl tin chloride and diphenyl tin dichloride are solvolysed. Tetraethyl and tetrapropyl tin form the corresponding trialkyl tin cations, whereas trimethyl, tripropyl tin chlorides and dipropyl and diethyl tin dichlorides have ionisable

  四乙酸铅和锡四乙酸盐在二硫酸中形成H 2 [Pb（HSO 4）6 ]和H 2 [Sn（HSO 4）6 ]，它们作为系统的弱酸。四乙醇锡，四苯基锡，三苯基氯化锡和二苯基二氯化锡被溶剂化。四乙基和四丙基锡形成相应的三烷基锡阳离子，而三甲基，三丙基氯化锡和二丙基和二乙基二氯化锡具有可电离的氯离子。三丁基氯化锡，双三丁基氧化锡和二丙基氧化锡也被溶剂化，但双三丙基氧化锡形成锡鎓离子。