silicon monohydride | 13774-94-2

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属有机物
• 英文名称: silicon monohydride
• 英文别名: trans-polysilene；silicon hydride；silylidine；silylidyne；hydrogen-silicon；Hydridosilicon；λ1-silane
• CAS: 13774-94-2
• 化学式: HSi
• 分子量: 29.0934
• InChiKey: QHGSGZLLHBKSAH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.65
• 重原子数：
  1
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silicon monohydride 生成 氢气
  参考文献：
  名称：

  Kostishko; Orlov; Pirogov, Inorganic Materials, 1999, vol. 35, # 3, p. 213 - 217

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  苯硅烷 以 not given 为溶剂， 生成 silicon monohydride
  参考文献：
  名称：

  气相中SiH自由基的电子猝灭和化学反应

  摘要：

  在193和248 nm的苯基硅烷光解之后，通过LIF研究了气相中的SiH自由基。由NO和电子淬火速率常数Ô 2的SiH A的2 Δ与490±40毫微秒的零压力寿命被确定为（4.6±0.3）×10 -10和（1.3±0.2）×10 -10 cm 3分子-1 s -1。的SiH X的反应2 Π与NO，O- 2，的SiH 4，和苯基硅烷继续在10的速率（2.5±0.3）× -10，（1.7±0.2）×10 -10，（2.8±0.6）×10 - 10和≈3×10 -10厘米分别为3个分子-1 s -1。与等价CH自由基的猝灭和反应机理进行了讨论。

  DOI：

  10.1016/0009-2614(89)87009-5

文献信息

• Absolute rate constants for the reaction of SiH with hydrogen, deuterium and silane
  作者：M.H. Begemann、R.W. Dreyfus、J.M. Jasinski

  DOI：10.1016/0009-2614(89)87168-4

  日期：1989.3

  photolysis and its concentration monitored in real time by laser-induced fluorescence. Removal rates for SiH by hydrogen, deuterium and silane have been determined at 5 Torr total pressure in helium at ambient temperature. Silylidyne reacts gas-kinetically with silane, but considerably more slowly with hydrogen and deuterium.

  准分子激光闪光光解产生了Silylidyne（SiH），并通过激光诱导的荧光实时监测其浓度。在环境温度下，在氦气中的总压力为5 Torr时，已确定了氢，氘和硅烷对SiH的去除速率。硅氢炔与硅烷发生气动力学反应，但与氢和氘的反应要慢得多。
• Optical emission spectroscopic study of a radio-frequency plasma of Ar+SiH4
  作者：U.K Das、P Chaudhuri

  DOI：10.1016/s0009-2614(98)01186-5

  日期：1998.12

  of a flowing mixture of silane and argon, the intensities of the peaks at 414.2 and 750.4 nm, arising due to SiH () and Ar [4p′(1/2)0–s′(1/2)0] transitions, respectively, have been studied by optical emission spectroscopy with the argon dilution level and the rf power density as the variable parameters. The experimental points have been satisfactorily fitted with the densities of metastable argon and

  在流动的硅烷和氩气混合物的射频（rf）辉光放电等离子体中，由于SiH（）和Ar [4p'（1/2）0 -s而引起的在414.2和750.4 nm处的峰强度通过（A）稀释度和rf功率密度作为可变参数，通过光发射光谱法分别研究了“（1/2）0 ]跃迁。实验点已经令人满意地适合了亚稳态氩气和激发的硅烷的密度，该密度是由等离子体中发生的反应动力学获得的。
• Direct observation, by the matrix isolation technique, of nitric oxide effects in low-pressure silane discharges
  作者：L. Abouaf-marguin、A. Lloret、M. Oria、B. Seoudi

  DOI：10.1016/0301-0104(88)87136-2

  日期：1988.11

  the concentration of silyl relative to silylene radicals increases while the silane and disilane decrease. The results are discussed in terms of plasma-surface chemical reactions; due to the low pressure of silane and nitric oxide, no gas phase radical reactions can occur.

  将在0.2 mTorr硅烷多极dc等离子体中产生的氢化硅自由基与在0.2 m Torr硅烷+0.3 mTorr一氧化氮等离子体中观察到的氢化硅自由基进行比较。等离子体自由基的检测已通过与红外吸收光谱法相关的固体Ar基质分离技术完成。这项研究为红外吸收线分配提供了证据。当将NO添加到硅烷等离子体中时，相对于亚甲硅烷基的甲硅烷基的浓度增加，而硅烷和乙硅烷减少。根据等离子体表面化学反应讨论了结果。由于硅烷和一氧化氮的低压，因此不会发生气相自由基反应。
• Gas-phase reactions of silicon ion (Si+ with ammonia and the amines (CH3)xNH3-x(X = 1-3): possible ion-molecule reaction pathways toward SiH, SiCH, SiNH, SiCH3, SiNCH3, and H2SiNH
  作者：S. Wlodek、Diethard K. Bohme

  DOI：10.1021/ja00216a010

  日期：1988.4

  +/ (r/sub 1/, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/) proceeding in competition (in the case of the amines) with hydride ion transfer to form immonium ions of the type CH/sub 2/NR/sub 1/R/sub 2//sup +/ (R/sub 1/, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/). C-N bond insertion appears more efficient than N-H bond insertion. The contribution of hydride ion transfer increases with increasing stability of the immonium ion. The latter reaction

  已确定基态 Si/sup +/(/sup 2/P) 离子与氨和胺 (CH/sub 3/)/sub x/NH/sub 3 的气相反应的速率常数和产物分布-x/ (x = 1-3) 在 296 +- 2 K 下使用选择离子流管技术。观察到所有反应都很快，可以理解为 Si/sup +/ 插入 NH 和 CN 键以形成 SiNR/sub 1/R/sub 2//sup +/ (r/sub 1 /, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/) 与氢阴离子转移竞争（在胺的情况下）形成 CH/sub 2/NR/sub 1/R/ 类型的亚铵离子sub 2//sup +/ (R/sub 1/, R/sub 2/ = H, CH/sub 3/)。CN 键插入似乎比 NH 键插入更有效。氢化物离子转移的贡献随着亚铵离子稳定性的增加而增加。后一个反应直接导致 SiH 作为中性产物。观察到直接或间接导致SiCH和SiCH/sub
• Azatyan; Vartanyan; Kalkanov, Kinetics and Catalysis, 1991, vol. 32, # 2 pt 2, p. 456 - 456
  作者：Azatyan、Vartanyan、Kalkanov、Temchin

  DOI：——

  日期：——