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N,N''-二叔丁基-2,3-二氨基丁烷 | 1167987-07-6

中文名称
N,N''-二叔丁基-2,3-二氨基丁烷
中文别名
——
英文名称
N2,N3-Di-tert-butylbutane-2,3-diamine
英文别名
2-N,3-N-ditert-butylbutane-2,3-diamine
N,N''-二叔丁基-2,3-二氨基丁烷化学式
CAS
1167987-07-6
化学式
C12H28N2
mdl
——
分子量
200.36
InChiKey
KEPBYALUNVNGRN-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.2
  • 重原子数:
    14
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    24.1
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    2

文献信息

  • DIAZADIENYL COMPOUND, RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THIN FILM, AND DIAZADIENE COMPOUND
    申请人:ADEKA CORPORATION
    公开号:US20180037540A1
    公开(公告)日:2018-02-08
    A diazadienyl compound represented by General Formula (I) below: wherein R 1 and R 2 each independently represent a C 1-6 linear or branched alkyl group, R 3 represents hydrogen, or a C 1-6 linear or branched alkyl group, M represents a metal atom or a silicon atom, and n represents a valence of the metal atom or silicon atom represented by M.
    通式(I)表示的一种二基化合物:其中R1和R2分别独立表示C1-6直链或支链烷基基团,R3表示或C1-6直链或支链烷基基团,M表示属原子或原子,n表示M所代表的属原子或原子的化合价。
  • M3 muscarinic acetylcholine receptor antagonists
    申请人:Busch-Petersen Jakob
    公开号:US20070149598A1
    公开(公告)日:2007-06-28
    Novel thiazole aniline compounds, pharmaceutical compositions, methods of making them and uses thereof in treating M 3 muscarinic acetylcholine receptor mediated diseases are disclosed.
  • TELLURIUM COMPOUNDS USEFUL FOR DEPOSITION OF TELLURIUM CONTAINING MATERIALS
    申请人:Stender Matthias
    公开号:US20090215225A1
    公开(公告)日:2009-08-27
    Precursors for use in depositing tellurium-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM), by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).
  • US7384946B2
    申请人:——
    公开号:US7384946B2
    公开(公告)日:2008-06-10
  • US8796068B2
    申请人:——
    公开号:US8796068B2
    公开(公告)日:2014-08-05
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