Hexamethylenebis(dimethyldodecylammonium), diiodide | 27916-23-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: Hexamethylenebis(dimethyldodecylammonium), diiodide
• 英文别名: dodecyl-[6-[dodecyl(dimethyl)azaniumyl]hexyl]-dimethylazanium;diiodide
• CAS: 27916-23-0
• 化学式: C34H74I2N2
• 分子量: 764.8
• InChiKey: UEXRNIUHKWUZFJ-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.55
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  29
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

文献信息

• Tungsten processing slurry with catalyst
  申请人：Cabot Microelectronics Corporation

  公开号：US10066126B2

  公开（公告）日：2018-09-04

  Described are compositions (e.g., slurries) useful in methods for chemical-mechanical processing (e.g. polishing or planarizing) a surface of a substrate that contains tungsten, the slurries containing abrasive particles, metal cation catalyst, phosphorus-containing zwitterionic compound, and optional ingredients such as oxidizer; also described are methods and substrates used or processed on combination with the compositions.

  所述组合物（如浆料）适用于对含钨基材表面进行化学机械加工（如抛光或平面化）的方法，浆料含有研磨颗粒、金属阳离子催化剂、含磷齐聚物和氧化剂等任选成分；还描述了与组合物结合使用或加工的方法和基材。
• MIXED ABRASIVE TUNGSTEN CMP COMPOSITION
  申请人：Cabot Microelectronics Corporation

  公开号：EP3122836B1

  公开（公告）日：2019-08-14
• TUNGSTEN CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING COMPOSITION
  申请人：Cabot Microelectronics Corporation

  公开号：EP3161098A1

  公开（公告）日：2017-05-03
• TUNGSTEN-PROCESSING SLURRY WITH CATIONIC SURFACTANT
  申请人：Cabot Microelectronics Corporation

  公开号：EP3368624A1

  公开（公告）日：2018-09-05
• TUNGSTEN PROCESSING SLURRY WITH CATALYST
  申请人：Cabot Microelectronics Corporation

  公开号：EP3400267B1

  公开（公告）日：2020-12-30