an external voltage at room temperature, the valence state of the single POM molecule could be changed multiple times through the injection of up to 4 electrons. The molecular electrical conductivity is dependent on the number of vanadium 3d electrons, resulting in several discrete conduction states with increasing conductivity. This fundamentally important finding illustrates the far-reaching opportunities
IT 系统的可持续发展需要寻求新的概念来解决设备的进一步小型化、性能改进和能源效率问题。如果没有合适的功能材料,就无法实现这些目标。在这里,我们的目标是使用单个多
金属氧酸盐 (POM) 分子进行技术上重要的电子修饰,这些分子被设想为当今互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术中实现的材料的智能后继者。Lindqvist 型 POM 物理吸附在 Au(111) 表面,保留了它们的结构和电子特性。通过在室温下施加外部电压,通过注入多达 4 个电子,单个 POM 分子的价态可以多次改变。分子电导率取决于
钒 3d 电子的数量,随着电导率的增加,会产生几个离散的导电状态。这一根本上重要的发现说明了 POM 分子在多态电阻(忆阻)开关领域的深远机会。