bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)nickel(II)

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)nickel(II)
• 英文别名: 1-(Dimethylamino)-2-methylbutan-2-olate;nickel(2+)；1-(dimethylamino)-2-methylbutan-2-olate;nickel(2+)
• 化学式: C₁₄H₃₂N₂NiO₂
• 分子量: 319.11
• InChiKey: LECAMOYWYJUYIH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.15
• 重原子数：
  19
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  52.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)nickel(II) 在 NH₃ 作用下， 生成 镍
  参考文献：
  名称：

  Ni薄膜的原子层沉积及其在区域选择性沉积中的应用

  摘要：

  Ni 薄膜的下行原子层沉积及其在区域选择性沉积中的应用 Woo-Hee Kim、Han-Bo-Ram Lee、Kwang Heo、Young Kuk Lee、Taek-Mo Chung、Chang Gyoun Kim、Seunghun Hong、Jong Heo 和Hyungjun Kim* 浦项科技大学材料科学与工程系，浦项 790-784，延世大学韩国电气与电子工程学院，首尔 120-749，韩国物理与天文学系以及纳米跨学科项目Science and Technology, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea Advanced Materials Division, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 305-600, Korea

  DOI：

  10.1149/1.3504196
• 作为产物：
  描述：

  hexaamminenickel (II) chloride 、 sodium dimethylamino-2-methyl-2-butoxide 以 甲苯 为溶剂， 反应 8.0h， 以82.6%的产率得到bis(dimethylamino-2-methyl-2-butoxo)nickel(II)
  参考文献：
  名称：

  WO2006/107121

  摘要：

  公开号：

文献信息

• WO2006/107121
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Atomic Layer Deposition of Ni Thin Films and Application to Area-Selective Deposition
  作者：Woo-Hee Kim、Han-Bo-Ram Lee、Kwang Heo、Young Kuk Lee、Taek-Mo Chung、Chang Gyoun Kim、Seunghun Hong、Jong Heo、Hyungjun Kim

  DOI：10.1149/1.3504196

  日期：——

  Downlo Atomic Layer Deposition of Ni Thin Films and Application to Area-Selective Deposition Woo-Hee Kim, Han-Bo-Ram Lee, Kwang Heo, Young Kuk Lee, Taek-Mo Chung, Chang Gyoun Kim, Seunghun Hong, Jong Heo, and Hyungjun Kim* Department of Material Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang 790-784, Korea School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University

  Ni 薄膜的下行原子层沉积及其在区域选择性沉积中的应用 Woo-Hee Kim、Han-Bo-Ram Lee、Kwang Heo、Young Kuk Lee、Taek-Mo Chung、Chang Gyoun Kim、Seunghun Hong、Jong Heo 和Hyungjun Kim* 浦项科技大学材料科学与工程系，浦项 790-784，延世大学韩国电气与电子工程学院，首尔 120-749，韩国物理与天文学系以及纳米跨学科项目Science and Technology, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea Advanced Materials Division, Korea Research Institute of Chemical Technology, Daejeon 305-600, Korea