tetrakis(ethylmethylamino)zirconium

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tetrakis(ethylmethylamino)zirconium
• 英文别名: tetrakis(methylethylamino)zirconium；Zr(NEtMe)₄；Ethanamine, N-methyl-, zirconium(4+) salt (4:1)；ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+)
• 化学式: C₁₂H₃₂N₄Zr
• 分子量: 323.637
• InChiKey: SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.04
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetrakis(ethylmethylamino)zirconium 、 臭氧 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 zirconium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  原子层沉积 Hf[sub x]Zr[sub 1−x]O[sub 2] 与 TEMAHf、TEMAZr 和臭氧的物理和电学特性

  摘要：

  在这项工作中，报告了使用四乙基甲基氨基铪 (TEMAHf)、四乙基甲基氨基锆 (TEMAZr) 和臭氧形成的原子层沉积 Hf x Zr 1-x O 2 的物理和电学特性。确认添加 Zr，薄膜密度随着 Zr 含量的增加而降低。在高温退火后，观察到 ZrO 2 的界面层厚度略有增加。所有薄膜在高温退火后保持光滑和无空隙。随着 Zr 含量的增加，观察到四方相稳定。碳杂质含量低且与 Zr 含量无关。制造 Hf x Zr 1-x O 2 晶体管和电容器用于电气特性分析。所有器件均观察到良好的电容-电压特性。随着 Zr 含量从 <2% (HfO 2 ) 增加到 -50% (Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 )，仅观察到栅极漏电流略有增加。Hf x Zr 1-x O 2 器件的阈值电压比 HfO 2 器件低约 50 mV。具有 50% 和 60% Zr 含量的 Hf x Zr 1-x O 2 器件的高场迁移率高于

  DOI：

  10.1149/1.2803427
• 作为产物：
  描述：

  N-乙基甲基胺 、 tetramethyl zirconium 以 四氢呋喃 、 乙醚 、 甲苯 为溶剂， 以53%的产率得到tetrakis(ethylmethylamino)zirconium
  参考文献：
  名称：

  一种新型高效的不稳定四甲基锆的制备方法及其微流系统的应用

  摘要：

  我们开发了一种新的、有效的制备不稳定四甲基锆的方法及其在四（N-甲基乙基酰胺基）锆和二甲基双（吲哚）合成中的应用。

  DOI：

  10.1246/cl.2012.73

文献信息

• PROCESSES FOR PRODUCING TRANSITION METAL AMIDES
  申请人：Strickler Jamie R.

  公开号：US20100204499A1

  公开（公告）日：2010-08-12

  Processes are provided for producing transition metal amides. In methods according to this invention, at least a halogenated transition metal and an amine are combined in a solvent to produce an intermediate composition and an alkylated metal or a Grignard reagent is added to the intermediate composition to produce the transition metal amide.

  提供了用于生产过渡金属胺的方法。根据本发明的方法，在溶剂中将至少一种卤化过渡金属和胺结合以产生中间组合物，然后向中间组合物中加入烷基金属或格氏试剂以产生过渡金属胺。
• Group IV Metal Complexes For Metal-Containing Film Deposition
  申请人：Bailey, III Wade Hampton

  公开号：US20130030191A1

  公开（公告）日：2013-01-31

  Metal-containing complexes with general formula (1) (R 1 n Pyr)(R 2 n Pyr)ML 1 L 2 ; or (2) [(R 8 XR 9 )(R 1 n Pyr)(R 2 n Pyr)]ML 1 L 2 are disclosed; wherein M is a Group IV metal, Pyr is pyrrolyl ligand, n=1, 2 and 3, L 1 and L 2 are independently selected from alkoxide, amide or alkyl, L 1 and L 2 can be linked together, R 1 and R 2 can be same or different organic groups substituted at 2,3,4-positions of the pyrrole ring and are selected from the group consisting of linear and branched C 1-6 alkyls, Wand R 9 are independently selected from the linear or branched chain alkylene group having 2-6 carbon atoms, and X is CH 2 or oxygen. Methods of using the metal complexes as precursors to deposit metal or metal oxide films used for various devices in semi-conductor industries are also discussed.

  揭示了具有一般公式（1）（R1nPyr）（R2nPyr）ML1L2；或（2）[(R8XR9)(R1nPyr)(R2nPyr)]ML1L2的含金属配合物；其中M是IV族金属，Pyr是吡咯配体，n=1、2和3，L1和L2可独立选择自烷氧基、酰胺或烷基，L1和L2可以连接在一起，R1和R2可以是相同或不同的有机基团，在吡咯环的2、3、4位被取代，并且从由线性和支链C1-6烷基组成的组中选择，W和R9可以独立选择具有2-6个碳原子的线性或支链烷基链，X为CH2或氧。还讨论了将金属配合物用作沉积金属或金属氧化物薄膜的前体的方法，用于半导体行业中各种器件。
• 규소함유 유기 금속 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 금속-규소 산화물 박막의 제조 방법
  申请人：- (주)디엔에프(120010456766) Corp. No ▼ 160111-0109896BRN ▼314-81-38516

  公开号：KR102093226B1

  公开（公告）日：2020-03-25

  본 발명은 규소함유 유기 금속 전구체 화합물을 이용하여 유기 금속 화학 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)을 통해 고순도 금속 -규소 산화물 박막을 적층으로 형성하는 박막 증착 방법을 제공한다. 또한 상기한 유기금속 화학 증착법(MOCVD) 및 원자층 증착법(ALD)에 의하여 우수한 박막 특성, 단차피복성을 확보할 수 있으며, 열적으로 안정한 규소함유 유기 금속 전구체 화합물을 제공한다.

  本发明利用含硅有机金属前体化合物通过有机金属化学气相沉积法（MOCVD）和原子层沉积法（ALD），形成高纯度金属-硅氧化物薄膜堆积的沉积方法。此外，通过上述有机金属化学气相沉积法（MOCVD）和原子层沉积法（ALD），可以确保优异的薄膜特性、均匀性，并提供热稳定的含硅有机金属前体化合物。
• 지르코늄 금속을 함유하는 신규한 유기금속 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 이를 이용한 박막의 제조 방법
  申请人：Kim hyun chang 김현창(420150702115)

  公开号：KR20160105714A

  公开（公告）日：2016-09-07

  본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 지르코늄 유기금속 화합물 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition : CVD) 또는 원자층 증착법(Atomic layer deposion : ALD)에 적용 가능하고 열적, 화학적으로 안정한 지르코늄 유기금속 화합물 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 합성된 지르코늄 유기금속 화합물은 고휘발성이며 열적으로 안정하여 지르코늄 금속 산화물 박막 제조에 유리하게 사용할 수 있다. (화학식 1) 상기 화학식 1에서, R는 C-C의 알킬기이고; R및R는 서로 독립적으로 C-C의 알킬기이다.

  本发明涉及一种新的有机锆金属化合物，其化学式表示为1，并详细描述了适用于化学气相沉积法（CVD）或原子层沉积法（ALD）的热化学稳定的有机锆金属化合物及其制备方法，以及利用该化合物制备薄膜的方法。根据本发明合成的有机锆金属化合物具有高挥发性且在热学上稳定，可有利地用于制备锆金属氧化物薄膜。在上述化学式1中，R代表C-C的烷基基团；R和R独立地代表C-C的烷基基团。
• Band alignment of atomic layer deposited (ZrO2)x(SiO2)1−x gate dielectrics on Si (100)
  作者：Dahlang Tahir、Eun Kyoung Lee、Suhk Kun Oh、Tran Thi Tham、Hee Jae Kang、Hua Jin、Sung Heo、Ju Chul Park、Jae Gwan Chung、Jae Cheol Lee

  DOI：10.1063/1.3143223

  日期：2009.5.25

  The band alignment of atomic layer deposited (HfZrO4)1−x(SiO2)x (x = 0, 0.10, 0.15, and 0.20) gate dielectric thin films grown on Si (100) was obtained by using X-ray photoelectron spectroscopy and reflection electron energy loss spectroscopy. The band gap, valence band offset, and conduction band offset values for HfZrO4 silicate increased from 5.4 eV to 5.8 eV, from 2.5 eV to 2.75 eV, and from 1

  通过使用 X 射线光电子能谱和反射获得在 Si (100) 上生长的原子层 (HfZrO4)1-x(SiO2)x (x = 0、0.10、0.15 和 0.20) 的能带排列电子能量损失谱。HfZrO4 硅酸盐的带隙、价带偏移和导带偏移值分别从 5.4 eV 增加到 5.8 eV，从 2.5 eV 增加到 2.75 eV，从 1.78 eV 增加到 1.93 eV，作为 SiO2 的摩尔分数 (x)从 0.1 增加到 0.2。导带和价带偏移的这种增加，作为增加 SiO2 摩尔分数的函数，降低了栅极漏电流密度。因此，