1,1'-四硫代二[N,N-二丁基-硫代甲酰胺] | 93918-43-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 中文名称: 1,1'-四硫代二[N,N-二丁基-硫代甲酰胺]
• 英文名称: 1,1'-Tetrathiobis(N,N-dibutylthioformamide)
• 英文别名: (dibutylcarbamothioyltrisulfanyl) N,N-dibutylcarbamodithioate
• CAS: 93918-43-5
• 化学式: C₁₈H₃₆N₂S₆
• 分子量: 472.9
• InChiKey: QXYXKAAOTBHOTF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.6
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  17
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.89
• 拓扑面积：
  172
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

文献信息

• Verfahren zum Herstellen einer Hochspannungsisolierung
  申请人：Siemens Aktiengesellschaft

  公开号：EP3026676A1

  公开（公告）日：2016-06-01

  Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Hochspannungsisolierung mit den Schritten: Beschichten von nanoskaligen und/oder mikroskaligen anorganischen Partikeln mit Spannungsstabilisatoren, organischen UV-Absorbern und/oder para-Nitroanilinen; Mischen der beschichteten Partikel mit einem Reaktionsharz, um ein Gemisch zu erhalten; und Aushärten des Gemischs. Die Erfindung betrifft ferner die Hochspannungsisolierung und die Verwendung der Hochspannungsisolierung.

  本发明涉及一种生产高压绝缘材料的工艺，包括以下步骤在纳米级和/或微米级无机颗粒上涂覆电压稳定剂、有机紫外线吸收剂和/或对硝基苯胺；将涂覆颗粒与活性树脂混合，得到混合物；以及固化混合物。本发明还涉及高压绝缘和高压绝缘的使用。
• US4206080A
  申请人：——

  公开号：US4206080A

  公开（公告）日：1980-06-03
• US5880232A
  申请人：——

  公开号：US5880232A

  公开（公告）日：1999-03-09
• [DE] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HOCHSPANNUNGSISOLIERUNG<br/>[EN] METHOD FOR PRODUCING HIGH-VOLTAGE INSULATION<br/>[FR] PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE ISOLATION CONTRE LES HAUTES TENSIONS
  申请人：SIEMENS AG

  公开号：WO2016083132A1

  公开（公告）日：2016-06-02

  Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Hochspannungsisolierung mit den Schritten: Beschichten von nanoskaligen und/oder mikroskaligen anorganischen Partikeln mit Spannungsstabilisatoren, organischen UV-Absorbern und/oder para-Nitroanilinen; Mischen der beschichteten Partikel mit einem Reaktionsharz, um ein Gemisch zu erhalten; und Aushärten des Gemischs. Die Erfindung betrifft ferner die Hochspannungsisolierung und die Verwendung der Hochspannungsisolierung.