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2,3,3-三苯基丙腈 | 5350-66-3

中文名称
2,3,3-三苯基丙腈
中文别名
——
英文名称
2,3,3-triphenyl-propionitrile
英文别名
2,3,3-Triphenyl-propionitril;Phenyl-benzhydryl-acetonitril;α.β.β-Triphenyl-propionitril;2,3,3-triphenylpropionitrile;2,3,3-Triphenylpropanenitrile
2,3,3-三苯基丙腈化学式
CAS
5350-66-3
化学式
C21H17N
mdl
——
分子量
283.373
InChiKey
LLJHVPXJEGSZFI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • 反应信息
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物化性质

  • 熔点:
    98 °C
  • 沸点:
    409.5±14.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.100±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.1
  • 拓扑面积:
    23.8
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

SDS

SDS:fdc8740cedaaaa8032a2208d1ab6eda1
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文献信息

  • Synthesis of 1-(1-Cyano-1-phenyl)alkyl-2-phenylcyclopropenes by Phase-Transfer Catalysis (PTC)
    作者:Jacek Arct、Michał Fedoryński、Kazimierz Minksztym、Andrzej Jończyk
    DOI:10.1055/s-1996-4336
    日期:1996.9
    2-Substituted phenylacetonitriles 1 react with 1,1-dihalo-2-phenylcyclopropanes 2 in the presence of concentrated aqueous sodium hydroxide solution and benzyltriethylammonium chloride (TEBA) as a catalyst (phase-transfer catalysis, PTC conditions), to afford 1,2-disubstituted cyclopropenes 3, with moderate to low yields.
    在浓氢氧化钠水溶液和苄基三乙基氯化铵(TEBA)作为催化剂(相转移催化,PTC条件)的存在下,2-取代苯乙腈1与1,1-二卤代-2-苯基环丙烷2反应,以中等到较低的产率得到1,2-二取代环丙烯3。
  • Oxidative nucleophilic substitution of hydrogen in nitroarenes with phenylacetonitrile derivatives
    作者:Mieczyslaw Ma̧kosza、Krzysztof Staliński
    DOI:10.1016/s0040-4020(98)00472-4
    日期:1998.7
    the para position to form the corresponding σH-adducts which are transformed, depending on the starting nitriles and the reaction conditions, to products of oxidative nucleophilic substitution of hydrogen, ONSH or vicarious nucleophilic substitution, VNS.
    从在液态氨的添加到硝基苯处于α取代的苯基乙腈产生的碳负离子叔对位置以形成相应的σ ħ被转化,根据原料腈和反应条件-adducts,以氢氧化亲核取代的产品,ONSH或替代性亲核取代(VNS)。
  • CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND WAFER CLEANING COMPOSITION COMPRISING AMIDOXIME COMPOUNDS AND ASSOCIATED METHOD FOR USE
    申请人:Lee Wai Mun
    公开号:US20090130849A1
    公开(公告)日:2009-05-21
    A composition and associated method for chemical mechanical planarization (or other polishing) is described. The composition contains an amidoxime compound and water. The composition may also contain an abrasive and a compound with oxidation and reduction potential. The composition is useful for attaining improved removal rates for metal, including copper, barrier material, and dielectric layer materials in metal CMP. The composition is particularly useful in conjunction with the associated method for metal CMP applications.
    本文描述了一种化学机械平整化(或其他抛光)的组合物及其相关方法。该组合物含有一种酰胺肟化合物和水。该组合物还可以含有磨料和具有氧化还原潜力的化合物。该组合物可用于在金属CMP中获得改进的金属去除速率,包括铜、屏障材料和金属CMP中的介电层材料。该组合物在金属CMP应用的相关方法中特别有用。
  • METHODS OF CLEANING SEMICONDUCTOR DEVICES AT THE BACK END OF LINE USING AMIDOXIME COMOSITIONS
    申请人:Lee Wai Mun
    公开号:US20100043823A1
    公开(公告)日:2010-02-25
    The present invention relates to aqueous compositions comprising amidoxime compounds and methods for cleaning plasma etch residue from semiconductor substrates including such dilute aqueous solutions. The compositions of the invention may optionally contain one or more other acid compounds, one or more basic compounds, and a fluoride-containing compound and additional components such as organic solvents, chelating agents, amines, and surfactants. The invention also relates to a method of removing residue from a substrate during integrated circuit fabrication.
    本发明涉及含有酰胺肟化合物的水性组合物及其清洗半导体衬底上等离子体刻蚀残留物的方法,包括这种稀释的水性溶液。本发明的组合物可以选择性地含有一种或多种其他酸性化合物、一种或多种碱性化合物、含氟化合物和其他成分,如有机溶剂、螯合剂、胺和表面活性剂。本发明还涉及一种在集成电路制造过程中从衬底上去除残留物的方法。
  • COMPOSITION COMPRISING CHELATING AGENTS CONTAINING AMIDOXIME COMPOUNDS
    申请人:Lee Wai Mun
    公开号:US20100105595A1
    公开(公告)日:2010-04-29
    The present invention is a novel aqueous cleaning solution for use in semiconductor front end of the line (FEOL) manufacturing process wherein the cleaning solution comprises at least one amidoxime compound.
    本发明是一种用于半导体前端制造过程中的新型水性清洗溶液,其中清洗溶液包含至少一种酰胺肟化合物。
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