摩熵化学
数据库官网
小程序
打开微信扫一扫
首页 分子通 化学资讯 化学百科 反应查询 关于我们
请输入关键词

2,5-bis(2-naphthyl)thiazolo[5,4-d]thiazole | 27395-99-9

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2,5-bis(2-naphthyl)thiazolo[5,4-d]thiazole
英文别名
2,5-di-naphthalen-2-yl-thiazolo[5,4-d]thiazole;2.5-Di-(2-naphthyl)-thiazolo<5,4-d>thiazol;2,5-Dinaphthalen-2-yl-[1,3]thiazolo[5,4-d][1,3]thiazole
2,5-bis(2-naphthyl)thiazolo[5,4-d]thiazole化学式
CAS
27395-99-9
化学式
C24H14N2S2
mdl
——
分子量
394.521
InChiKey
CEPLRTIZTVPGLE-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    7.9
  • 重原子数:
    28
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    82.3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    2-萘甲醛二硫代乙酰胺邻二氯苯 为溶剂, 反应 24.0h, 以38%的产率得到2,5-bis(2-naphthyl)thiazolo[5,4-d]thiazole
    参考文献:
    名称:
    Synthesis, physical properties and field-effect transistors of novel thiazolothiazole–phenylene co-oligomers
    摘要:
    合成了一系列噻唑并噻唑-亚苯基共聚低聚物,并研究了它们的性能,特别是作为 OFET 半导体的性能。萘基和联苯取代的衍生物表现出p型半导体行为,空穴迁移率范围为10-2至10-1 cm2 V-1 s-1。在 HMDS 处理的基板上,空穴迁移率和开/关比提高至 0.12 cm2 V-1 s-1 和 106。发现引入苯基作为末端取代基有利于电荷传输和空气稳定性。
    DOI:
    10.1039/b611814c
点击查看最新优质反应信息

文献信息

  • MATERIAL FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
    申请人:Takata Yoshiyuki
    公开号:US20090156827A1
    公开(公告)日:2009-06-18
    An object of the present invention is to provide a material for high-brightness, high-efficiency, longer-life organic EL elements and an organic EL element produced by using the same. Provided is a material for organic EL elements, comprising a compound represented by the following General Formula (1): wherein, R 1 and R 2 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
    本发明的一个目的是提供一种用于高亮度、高效率、长寿命有机EL元件的材料,以及利用该材料制备的有机EL元件。提供了一种用于有机EL元件的材料,包括由以下一般式(1)表示的化合物:其中,R1和R2各自独立地表示取代或未取代的烷基基团、取代或未取代的芳基团或取代或未取代的杂环基团。
  • THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL, AND THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT PREPARED THEREWITH
    申请人:Toyo Ink SC Holdings Co., Ltd.
    公开号:EP3902021A1
    公开(公告)日:2021-10-27
    A thermoelectric conversion material containing an electrically conductive material (A) and an organic compound (B) that are in a relationship satisfying the following formula (1): 0 eV ≤ | (HOMO of the organic compound (B)) - (HOMO of the electrically conductive material (A)) | ≤ 1.64 eV.
    一种热电转换材料,包含导电材料(A)和有机化合物(B),两者之间的关系满足下式(1):0 eV ≤ | (有机化合物 (B) 的 HOMO) - (导电材料 (A) 的 HOMO)| ≤ 1.64 eV。
  • Thomas,D.A., Journal of Heterocyclic Chemistry, 1970, vol. 7, p. 457 - 462
    作者:Thomas,D.A.
    DOI:——
    日期:——
  • Synthesis, physical properties and field-effect transistors of novel thiazolothiazole–phenylene co-oligomers
    作者:Shinji Ando、Daisuke Kumaki、Jun-ichi Nishida、Hirokazu Tada、Youji Inoue、Shizuo Tokito、Yoshiro Yamashita
    DOI:10.1039/b611814c
    日期:——
    A series of thiazolothiazole–phenylene co-oligomers was synthesized and their properties, particularly as semiconductors for OFETs, were investigated. The naphthyl and biphenyl- substituted derivatives showed p-type semiconducting behavior with hole mobilities ranging from 10−2 to 10−1 cm2 V−1 s−1. The hole mobility and on/off ratio were enhanced to 0.12 cm2 V−1 s−1 and 106 on the HMDS treated substrate. The introduction of phenyl groups as end substituents was found to be favorable for charge transport and air-stability.
    合成了一系列噻唑并噻唑-亚苯基共聚低聚物,并研究了它们的性能,特别是作为 OFET 半导体的性能。萘基和联苯取代的衍生物表现出p型半导体行为,空穴迁移率范围为10-2至10-1 cm2 V-1 s-1。在 HMDS 处理的基板上,空穴迁移率和开/关比提高至 0.12 cm2 V-1 s-1 和 106。发现引入苯基作为末端取代基有利于电荷传输和空气稳定性。
查看更多