4-methyl-naphthalene-1,7-diol | 103988-00-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 4-methyl-naphthalene-1,7-diol
• 英文别名: 4-Methyl-naphthalin-1,7-diol；4-Methylnaphthalene-1,7-diol
• CAS: 103988-00-7
• 化学式: C₁₁H₁₀O₂
• 分子量: 174.199
• InChiKey: KIGJTEFBAOWYJU-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  162 °C(Solv: benzene (71-43-2))
• 沸点：
  382.8±22.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.274±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.3
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.09
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-methyl-naphthalene-1,7-diol 、 乙酰乙酸乙酯 在 盐酸 、 乙醇 作用下， 生成 9-hydroxy-4,6-dimethyl-benzo[h]chromen-2-one
  参考文献：
  名称：

  343.二羟基萘的进一步研究

  摘要：

  DOI：

  10.1039/jr9560001743
• 作为产物：
  描述：

  1,7-二羟基萘 在 氢氧化钾 、 吡啶盐酸盐 、 一水合肼 、 三氯氧磷 、 二乙二醇 作用下， 反应 2.0h， 生成 4-methyl-naphthalene-1,7-diol
  参考文献：
  名称：

  Compounds with Potential Activity against Lethal Radiations. VII. Methyl and Ethyl Homologs of 1,7-Dihydroxynaphthalene

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo01117a011

文献信息

• COMPOSITION FOR FORMING ORGANIC FILM, SUBSTRATE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FORMING ORGANIC FILM, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3508918A1

  公开（公告）日：2019-07-10

  The invention provides: a composition for forming an organic film, the composition having high filterability and enabling formation of an organic film which has high pattern-curving resistance, and which prevents a high-aspect line pattern particularly finer than 40 nm from line collapse and twisting after dry etching; a method for forming an organic film and a patterning process which use the composition; and a substrate for manufacturing a semiconductor device, including the organic film formed on the substrate. The composition for forming an organic film includes a condensate (A), which is a condensation product of dihydroxynaphthalene shown by the following formula (1) and a condensation agent, or a derivative of the condensate (A). A sulfur content among constituent elements contained in the condensate (A) or the derivative of the condensate (A) is 100 ppm or less in terms of mass.

  本发明提供了：一种用于形成有机薄膜的组合物，该组合物具有高过滤性，能够形成具有高图案抗弯曲性的有机薄膜，并且在干法蚀刻后能够防止特别细于40纳米的高光谱线图案发生线崩溃和扭曲；一种使用该组合物的形成有机薄膜的方法和图案化工艺；以及一种用于制造半导体器件的基板，包括在该基板上形成的有机薄膜。用于形成有机薄膜的组合物包括缩合物（A），它是下式（1）所示的二羟基萘和缩合剂的缩合产物，或缩合物（A）的衍生物。冷凝液（A）或冷凝液（A）的衍生物所含成分元素中的硫含量按质量计算不超过 100 ppm。
• Composition for forming organic film, substrate for manufacturing semiconductor device, method for forming organic film, and patterning process
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US11018015B2

  公开（公告）日：2021-05-25

  The invention provides: a composition for forming an organic film, the composition having high filterability and enabling formation of an organic film which has high pattern-curving resistance, and which prevents a high-aspect line pattern particularly finer than 40 nm from line collapse and twisting after dry etching; a method for forming an organic film and a patterning process which use the composition; and a substrate for manufacturing a semiconductor device, including the organic film formed on the substrate. The composition for forming an organic film includes a condensate (A), which is a condensation product of dihydroxynaphthalene shown by the following formula (1) and a condensation agent, or a derivative of the condensate (A). A sulfur content among constituent elements contained in the condensate (A) or the derivative of the condensate (A) is 100 ppm or less in terms of mass.

  本发明提供了：一种用于形成有机薄膜的组合物，该组合物具有高过滤性，能够形成具有高图案抗弯曲性的有机薄膜，并且在干法蚀刻后能够防止特别细于40纳米的高光谱线图案发生线崩溃和扭曲；一种使用该组合物的形成有机薄膜的方法和图案化工艺；以及一种用于制造半导体器件的基板，包括在该基板上形成的有机薄膜。用于形成有机薄膜的组合物包括缩合物（A），它是下式（1）所示的二羟基萘和缩合剂的缩合产物，或缩合物（A）的衍生物。冷凝液（A）或冷凝液（A）的衍生物所含成分元素中的硫含量按质量计算不超过 100 ppm。
• Compounds with Potential Activity against Lethal Radiations. VII. Methyl and Ethyl Homologs of 1,7-Dihydroxynaphthalene
  作者：NG. PH. BUU-HOÏ、DENISE LAVIT

  DOI：10.1021/jo01117a011

  日期：1956.11
• 343. Further studies of dihydroxynaphthalenes
  作者：Ng. Ph. Buu-Hoï、Denise Lavit

  DOI：10.1039/jr9560001743

  日期：——