在这项研究中,我们合成了三个类似的弯曲核分子,一个氢键复合物和一个带有支链
硅氧烷单元(分别为 H-SiO 和 C-SiO)的共价键化合物和一个带有烷基单元的氢键复合物( H-Alk),并研究了氢键和支化
硅氧烷末端单元对其介晶性质的影响。共价键化合物C-SiO和氢键配合物H-Alk表现出典型的SmCP相;相比之下,氢键复合物 H-SiO 表现出一系列具有高度有序层结构的一般倾斜近晶 (SmCG) 相(即 SmC̃G(2)P(F)-USmCG(2)P(A)-SmCG( 2)P(F)-SmCGP(F)在冷却时)。在 SmCG 型相变过程中,二维调制的带状结构通过起伏层转变为高度有序的层,因为氢键强度随着温度的降低而增加。由于 SmCG 域在直流电场下对齐,因此倾斜角从大约 2 逐渐减小。60° 到 50°(而倾斜角保持在大约 31°)可以通过原位广角 X 射线散射 (WAXS) 确定。结合傅