2',7'-dimethylfluorescein | 55537-31-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并吡喃
• 英文名称: 2',7'-dimethylfluorescein
• 英文别名: 3',6'-dihydroxy-2',7'-dimethyl-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-one；3',6'-Dihydroxy-2',7'-dimethyl-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-on；3',6'-Dihydroxy-2',7'-dimethylspiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one
• CAS: 55537-31-0
• 化学式: C₂₂H₁₆O₅
• 分子量: 360.366
• InChiKey: MTURHKDUMCZKID-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  610.7±55.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.50±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.2
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  76
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2',7'-dimethylfluorescein 在 吡啶 、 [Cp*Ru(CH3CN)3]OTf 、 四丁基碘化铵 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 38.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  抗氧化光蓝的三芳基甲烷荧光团

  摘要：

  多色荧光成像数据的正确解释和再现需要小分子荧光探针的光谱稳定性，特别是在超分辨率成像的高（去）激发光强度下或在单分子应用中。我们提出了一种基于连续 Ru 和 Cu 催化转化的一系列光谱稳定罗丹明荧光团的合成方法，使用化学计量分析在其他荧光团的背景下评估它们对光漂白和光转换的稳定性，并证明了荧光团光产物的化学反应性。已经确定了提供抗光转换三芳基甲烷荧光团的取代模式，并证明了非蓝色标记在活细胞 STED 纳米显微镜中的适用性。

  DOI：

  10.1021/jacs.8b11036
• 作为产物：
  描述：

  4-甲基间苯二酚 在 硫酸 作用下， 生成 2',7'-dimethylfluorescein
  参考文献：
  名称：

  DE308335

  摘要：

  公开号：

文献信息

• Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2813892A2

  公开（公告）日：2014-12-17

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of fluorescein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO2 substrates.

  在光刻技术中，一种由包含荧光素复现单元的 novolak 树脂组成的组合物可用于形成光刻胶底层膜。 该底层膜可在碱水中剥离，不会对离子注入的硅基底或二氧化硅基底造成损坏。
• Knecht, Justus Liebigs Annalen der Chemie, 1882, vol. 215, p. 83
  作者：Knecht

  DOI：——

  日期：——
• Kehrmann; Bohn, Chemische Berichte, 1914, vol. 47, p. 3057
  作者：Kehrmann、Bohn

  DOI：——

  日期：——
• Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming processes
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2813892B1

  公开（公告）日：2020-06-17
• UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140363957A1

  公开（公告）日：2014-12-11

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of fluorescein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO 2 substrates.