摩熵化学
数据库官网
小程序
打开微信扫一扫
首页 分子通 化学资讯 化学百科 反应查询 关于我们
请输入关键词

2-Naphthalenecarboxaldehyde, 1,6-dihydroxy- | 822520-92-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-Naphthalenecarboxaldehyde, 1,6-dihydroxy-
英文别名
1,6-dihydroxynaphthalene-2-carbaldehyde
2-Naphthalenecarboxaldehyde, 1,6-dihydroxy-化学式
CAS
822520-92-3
化学式
C11H8O3
mdl
——
分子量
188.18
InChiKey
KIKLSQOOQGDQNG-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.5
  • 重原子数:
    14
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    57.5
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    3

文献信息

  • Resist underlayer film composition and patterning process using the same
    申请人:Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
    公开号:EP2476713A1
    公开(公告)日:2012-07-18
    There is disclosed a resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formulae (1-1) and/or (1-2), and one or more kinds of compounds, represented by the following general formulae (2-1) and/or (2-2), and/or equivalent bodies thereof. There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value as an antireflective film), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.
    本发明公开了一种抗蚀剂底层薄膜组合物,其中该组合物含有至少由以下通式(1-1)和/或(1-2)表示的一种或多种化合物和以下通式(2-1)和/或(2-2)表示的一种或多种化合物和/或其等效体缩合而得的聚合物。可以提供一种底层膜组合物,特别是用于三层抗蚀工艺的底层膜组合物,该组合物可以形成反射率降低的底层膜(即作为抗反射膜具有最佳 n 值和 k 值的底层膜)、填充性能优异、图案抗弯曲性能高、蚀刻后尤其是在厚度小于 60 nm 的高纵横向线上不会出现掉线或晃动的底层膜,以及使用该底层膜组合物的图案化工艺。
  • アルドラーゼを阻害する新しい芳香族化合物、合成方法および諸応用法
    申请人:ユニヴェルシテ ポール サバティエ トゥールーズ トロワ
    公开号:JP2007516184A
    公开(公告)日:2007-06-21
    本発明はアルドラーゼを阻害する新しい化合物に関するものであり、該化合物はその阻害効果によって、医薬品として(治療用の用量で)、とりわけある種のガンの治療に好適に用いることができるものである。本発明による化合物は以下の一般式に対応しており、該式において、アルデヒド基(−CHO)およびフェノール基(−OH)は、第一の芳香族結合体と呼ばれる同一の芳香族結合体の隣接する二つの炭素原子に固定されており、Rは、リン酸基またはリン酸基のミミックであり、第二の芳香族結合体と呼ばれる二番目の芳香族結合体の炭素原子に固定されている。【化1】
    本发明涉及抑制醛缩酶的新化合物,由于其抑制作用,可适当用作药物(治疗剂量),特别是用于治疗某些类型的癌症。根据本发明的化合物符合以下通式,其中醛基(-CHO)和酚基(-OH)固定在同一芳香键(称为第一芳香键)的两个相邻碳原子上,R 是、磷酸基团或磷酸基团的模拟物,固定在第二个芳香键的碳原子上,称为第二个芳香键。[化学 1]
  • COMPOSES AROMATIQUES COMME INHIBITEURS DES ALDOLASES
    申请人:UNIVERSITE PAUL SABATIER TOULOUSE III
    公开号:EP1641807A2
    公开(公告)日:2006-04-05
  • Aldolase-inhibiting aromatic compounds
    申请人:Dax Chantal
    公开号:US20070043002A1
    公开(公告)日:2007-02-22
    The invention relates to novel aldolase-inhibiting compounds that can be advantageously used as medicaments (in therapeutic doses), especially for treating certain cancers, due to the inhibition efficacy thereof. An inventive compound corresponds to general formula (I) wherein the aldehyde group (—CHO) and the phenol group (—OH) are linked to two carbon atoms adjacent to the same aromatic chain, i.e., the first aromatic chain, and R is a phosphate group or a phosphate group mimetic linked to a carbon atom of the second aromatic chain.
  • RESIST UNDERLAYER FILM COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
    申请人:OGIHARA Tsutomu
    公开号:US20120184103A1
    公开(公告)日:2012-07-19
    There is disclosed a resist underlayer film composition, wherein the composition contains a polymer obtained by condensation of, at least, one or more compounds represented by the following general formulae (1-1) and/or (1-2), and one or more kinds of compounds, represented by the following general formulae (2-1) and/or (2-2), and/or equivalent bodies thereof. There can be provided an underlayer film composition, especially for a trilayer resist process, that can form an underlayer film having reduced reflectance, (namely, an underlayer film having optimum n-value and k-value as an antireflective film), excellent filling-up properties, high pattern-antibending properties, and not causing line fall or wiggling after etching especially in a high aspect line that is thinner than 60 nm, and a patterning process using the same.
查看更多