甲基锗烷 | 1449-65-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物
• 中文名称: 甲基锗烷
• 英文名称: methylgermane
• 英文别名: Methylgerman；Methyl germane
• CAS: 1449-65-6
• 化学式: CH₆Ge
• 分子量: 90.6486
• InChiKey: FOTXTBSEOHNRCB-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  -158°C
• 沸点：
  -35°C
• 密度：
  0,63 g/cm3
• 闪点：
  -40°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.6
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• TSCA：
  No
• 安全说明：
  S9
• 危险类别码：
  R12
• 海关编码：
  2931900090
• 危险品运输编号：
  UN 3161

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  甲基锗烷 在 甲苯 作用下， 生成 氢气
  参考文献：
  名称：

  甲基锗烷均相气相热分解的机理和动力学

  摘要：

  在 1050 和 1250 K 之间的 3100 托总压下，通过比较速率单脉冲激波管技术研究了甲基锗烷的均相气相分解。发生了三个主要过程：CH/sub 3/GeH/sub 3/。 .-->.. CH/sub 3/GeH + H/sub 2/ (1), CH/sub 3/GeH/sub 3/ ..-->.. CH/sub 4/ + GeH/sub 2/ (2) 和 CH/sub 3/GeD/sub 3/ ..-->.. CH/sub 2/ = GeD/sub 2/ + HD (3)。在其压力下降范围内的总分解速率常数为 log k/sub 0/ (s/sup -1/) = 13.34 - 50,420 + - 3700 cal/theta，包括约 40% 的反应 1 和 30%反应 2 和 3；通过 RRKM 计算获得的初级过程的高压速率常数为 log k/sub 1/ (s/sup -1/)

  DOI：

  10.1021/ja00409a021
• 作为产物：
  描述：

  tetracarbonylgermyl(methylgermyl)iron 以 not given 为溶剂， 以11%的产率得到甲基锗烷
  参考文献：
  名称：

  Audett, Judy A. nee Christie; Mackay, Kenneth M., Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Reaction of heteryl-silanes and -germanes with metal hydrides
  作者：Vladimir Gevorgyan、Larisa Borisova、Edmunds Lukevics

  DOI：10.1016/0022-328x(90)87198-m

  日期：1990.8

  most reactive bis[2-(4,5-dihydrofuryl)]methyl-silane (7). The reaction of tris-heteryl-silanes and -germanes with LiAlH4 gives [2-(4,5-dihydrofuryl)]methylsilane (12), [2-(5,6-dihydro-4H-pyranyl)]methylsilane (14) and [2-(4,5-dihydrofuryl)]methylgermane (13) in good yields, which are otherwise difficult to obtain.

  通过锂合成，已经获得了在金属原子上含有不同数目的二氢呋喃基和二氢吡喃基的一系列杂基硅烷和-锗烷1。在与LiAlH 4形成的化合物反应期间，发生了随后的杂基被氢离子取代的情况。锂和钠的氢化物和硼氢化物能够从反应性最强的双[2-（4,5-二氢呋喃基）]甲基硅烷（7）中消除二氢呋喃基。三杂基硅烷和-锗烷与LiAlH 4的反应生成[2-（4,5-二氢呋喃基）]甲基硅烷（12），[2-（5,6-二氢-4 H-吡喃基）]甲基硅烷（14）和[2-（4,5-二氢呋喃基）]甲基锗烷（13）的收率很高，否则很难获得。
• Microwave spectrum, rs structure, and internal rotation of methyl fluorogermane
  作者：Michiro Hayashi、Shoji Kaminaka、Masaharu Fujitake、Sonoko Miyazaki

  DOI：10.1016/0022-2852(89)90157-4

  日期：1989.6

  Abstract The microwave spectra of methyl fluorogermane and its 17 isotopic species were measured. The rotational, centrifugal distortion constants and the quantities related to the methyl internal rotation were simultaneously determined for the species having CH 3 and CD 3 groups. Quade-type analysis for the splittings of the spectra were carried out for CH 2 DGeH 2 F. From the observed moments of

  摘要 测定了甲基氟锗烷及其17种同位素的微波光谱。对于具有CH 3 和CD 3 基团的物质，同时测定旋转、离心变形常数和与甲基内旋相关的量。对 CH 2 DGeH 2 F 进行了光谱分裂的四边形分析。从观察到的转动惯量，rs 结构已经很好地建立。通过与类似分子的结果进行比较，对分子结构进行了讨论。特别地，考虑了GeH 2 基团的角度关系和甲基的倾角。
• Thin germanium-carbon alloy layers grown directly on silicon for metal-oxide-semiconductor device applications
  作者：D. Q. Kelly、I. Wiedmann、J. P. Donnelly、S. V. Joshi、S. Dey、S. K. Banerjee、D. I. Garcia-Gutierrez、M. José-Yacamán

  DOI：10.1063/1.2195008

  日期：2006.4.10

  We report the growth and characterization of thin (<35nm) germanium-carbon alloy (Ge1−xCx) layers grown directly on Si by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition, with capacitance-voltage and leakage characteristics of the first high-κ/metal gate metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors fabricated on Ge1−xCx. The Ge1−xCx layers have an average C concentration of approximately 1at.% and were obtained

  我们报告了通过超高真空化学气相沉积直接在 Si 上生长的薄 (<35nm) 锗碳合金 (Ge1−xCx) 层的生长和表征，具有第一个高κ/金属栅极的电容-电压和泄漏特性在 Ge1-xCx 上制造的金属氧化物半导体 (MOS) 电容器。Ge1-xCx 层的平均 C 浓度约为 1at.%，是在 5mTorr 的沉积压力和 450°C 的生长温度下使用 CH3GeH3 和 GeH4 的反应获得的。Ge1-xCx 薄膜通过二次离子质谱、原子力显微镜、X 射线衍射和横截面透射电子显微镜进行表征。使用改进的蚀刻坑技术来计算穿透位错密度。X 射线衍射结果表明 Ge1-xCx 层部分松弛。
• The reactions of methylgermanes with [µ₄-Ge{Co₂(CO)₇}₂]: extending the chain of linked GeCo₂triangles
  作者：Siew Kim Lee、Kenneth M. Mackay、Brian K. Nicholson、Miranda Service

  DOI：10.1039/dt9920001709

  日期：——

  Methylgermanes GeMeRH2(R = H or Me) react with [µ4-GeCo2(CO)7}2]1 to form [µ4-GeCo2(CO)7}Co2(µ-GeMeR)(CO)6}](R = H 2a or Me 2b) and [µ4-GeCo2(µ-GeMeR)(CO)6}2](R = H 3a or Me 3b), depending on reaction ratio and time. An alternative synthesis of 2a is from GeMeH3 and [µ4-GeCo(CO)4}Co3(CO)9]. Corresponding reactions of 1 with silanes or stannanes do not give compounds of type 2 or 3, while the silicon

  甲基锗烷GeMeRH 2（R = H或Me）与[µ 4 -Ge Co 2（CO）7 } 2 ] 1反应形成[µ 4 -Ge Co 2（CO）7 } Co 2（µ-GeMeR ）（CO）6 }]（R = H 2a或Me 2b）和[µ 4 -Ge Co 2（µ-GeMeR）（CO）6 } 2 ]（R = H 3a或Me 3b），具体取决于反应比例和时间。2a的另一种合成方法来自GeMeH 3和[µ 4-Ge Co（CO）4 } Co 3（CO）9 ]。1与硅烷或锡烷的相应反应不会产生2或3型化合物，而1的硅类似物会受到锗烷的裂解，而不是簇扩展。比较了1、2和3的13种CO交换，CO加成和热解反应。3b [三斜面，空间群P，a = 9.607（3），b = 14.796（4），c = 9.476（3）Å，α= 95.83（2），β= 91.94（2）的X射线结构分析，γ= 98.83（2）°，R=
• Square bipyramidal [Co₄(CO)₁₁(GeMe)₂]; X-ray crystal structure. A new structure type for group 4–transition metal clusters
  作者：Stephen P. Foster、Kenneth M. Mackay、Brian K. Nicholson

  DOI：10.1039/c39820001156

  日期：——

  GeMeH3 reacts with [Co2(CO)7}2Ge] to produce [Co4(CO)11(GeMe)2]; X-ray structural analysis shows that this has an irregular square bipyramidal structure containing 5-co-ordinated square pyramidal Ge.

  GeMeH 3与[Co 2（CO）7 } 2 Ge]反应生成[Co 4（CO）11（GeMe）2 ]；X射线结构分析表明，它具有不规则的正方形双锥体结构，包含5-配位的正方形锥体Ge。

表征谱图