1-Iodomethanetriamine | 65402-53-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 1-Iodomethanetriamine
• 英文别名: iodomethanetriamine
• CAS: 65402-53-1
• 化学式: CH₆IN₃
• 分子量: 186.983
• InChiKey: WMEQHBPDZBNUEQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.8
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  78.1
• 氢给体数：
  3
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  germanium dioxide 、 1-Iodomethanetriamine 以 水 为溶剂， 生成 guanidinium germanium iodide
  参考文献：
  名称：

  混合碘化锗钙钛矿半导体：有源孤对、结构畸变、直接和间接能隙以及强非线性光学特性

  摘要：

  报道了混合有机/无机锗钙钛矿化合物 AGeI3 的合成和性质（A = Cs，有机阳离子）。对该反应系统的系统研究导致了 6 种新型混合半导体的分离。以CsGeI3 (1)为原型化合物，我们制备了甲铵、CH3NH3GeI3(2)、甲脒、HC(NH2)2GeI3(3)、乙脒、CH3C(NH2)2GeI3(4)、胍、C(NH2)3GeI3( 5)，三甲基铵，(CH3)3NHGeI3 (6) 和异丙基铵，(CH3)2C(H)NH3GeI3 (7) 类似物。化合物的晶体结构根据它们的维度进行分类，其中 1-4 个形成 3D 钙钛矿骨架和 5-7 个 1D 无限链。除了化合物 5（中心对称）和化合物 7（非极性无着丝粒）外，化合物 1-7 在极性空间群中结晶。3D 化合物的直接带隙为 1.6 eV (1)，1.9 eV (2)、2.2 eV (3) 和 2.5 eV (4)，而一维化合物的间接带隙为 2

  DOI：

  10.1021/jacs.5b01025
• 作为产物：
  描述：

  氢碘酸 、 胍 以 乙醇 、 水 为溶剂， 生成 1-Iodomethanetriamine
  参考文献：
  名称：

  混合碘化锗钙钛矿半导体：有源孤对、结构畸变、直接和间接能隙以及强非线性光学特性

  摘要：

  报道了混合有机/无机锗钙钛矿化合物 AGeI3 的合成和性质（A = Cs，有机阳离子）。对该反应系统的系统研究导致了 6 种新型混合半导体的分离。以CsGeI3 (1)为原型化合物，我们制备了甲铵、CH3NH3GeI3(2)、甲脒、HC(NH2)2GeI3(3)、乙脒、CH3C(NH2)2GeI3(4)、胍、C(NH2)3GeI3( 5)，三甲基铵，(CH3)3NHGeI3 (6) 和异丙基铵，(CH3)2C(H)NH3GeI3 (7) 类似物。化合物的晶体结构根据它们的维度进行分类，其中 1-4 个形成 3D 钙钛矿骨架和 5-7 个 1D 无限链。除了化合物 5（中心对称）和化合物 7（非极性无着丝粒）外，化合物 1-7 在极性空间群中结晶。3D 化合物的直接带隙为 1.6 eV (1)，1.9 eV (2)、2.2 eV (3) 和 2.5 eV (4)，而一维化合物的间接带隙为 2

  DOI：

  10.1021/jacs.5b01025

文献信息

• Hybrid Germanium Iodide Perovskite Semiconductors: Active Lone Pairs, Structural Distortions, Direct and Indirect Energy Gaps, and Strong Nonlinear Optical Properties
  作者：Constantinos C. Stoumpos、Laszlo Frazer、Daniel J. Clark、Yong Soo Kim、Sonny H. Rhim、Arthur J. Freeman、John B. Ketterson、Joon I. Jang、Mercouri G. Kanatzidis

  DOI：10.1021/jacs.5b01025

  日期：2015.6.3

  phase-matchable SHG response with high laser-induced damage thresholds (up to ∼3 GW/cm(2)). The second-order nonlinear susceptibility, χS(2), was determined to be 125.3 ± 10.5 pm/V (1), (161.0 ± 14.5) pm/V (2), 143.0 ± 13.5 pm/V (3), and 57.2 ± 5.5 pm/V (4). First-principles density functional theory electronic structure calculations indicate that the large SHG response is attributed to the high density

  报道了混合有机/无机锗钙钛矿化合物 AGeI3 的合成和性质（A = Cs，有机阳离子）。对该反应系统的系统研究导致了 6 种新型混合半导体的分离。以CsGeI3 (1)为原型化合物，我们制备了甲铵、CH3NH3GeI3(2)、甲脒、HC(NH2)2GeI3(3)、乙脒、CH3C(NH2)2GeI3(4)、胍、C(NH2)3GeI3( 5)，三甲基铵，(CH3)3NHGeI3 (6) 和异丙基铵，(CH3)2C(H)NH3GeI3 (7) 类似物。化合物的晶体结构根据它们的维度进行分类，其中 1-4 个形成 3D 钙钛矿骨架和 5-7 个 1D 无限链。除了化合物 5（中心对称）和化合物 7（非极性无着丝粒）外，化合物 1-7 在极性空间群中结晶。3D 化合物的直接带隙为 1.6 eV (1)，1.9 eV (2)、2.2 eV (3) 和 2.5 eV (4)，而一维化合物的间接带隙为 2