摘要:
本文描述了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体以及从这些氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一种实施例中,提供了一种用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体,其包括以下式子(I):
(R1R2N)nSiR34-n (I)
其中取代基R1和R2各自独立地选择来自1到20个碳原子的烷基和来自6到30个碳原子的芳基,其中至少一个取代基R1和R2包括至少一个电子吸引取代基,所述电子吸引取代基选择自F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO(OR)2、OR、SO、SO2、SO2R,其中所述至少一个电子吸引取代基中的R选择自烷基或芳基,R3选择自H、烷基或芳基,n为1到4的数字。