tris(dimethylamino)cyclopentadienyl hafnium | 941596-80-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: tris(dimethylamino)cyclopentadienyl hafnium
• 英文别名: Cyclopenta-1,3-diene;dimethylazanide;hafnium(4+)；cyclopenta-1,3-diene;dimethylazanide;hafnium(4+)
• CAS: 941596-80-1
• 化学式: C₁₁H₂₃HfN₃
• 分子量: 375.814
• InChiKey: XMXINVDNHBPGMO-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.26
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.55
• 拓扑面积：
  3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris(dimethylamino)cyclopentadienyl hafnium 、 N'-hydroxy-N,N-dimethylpivalimidamide 以 正己烷 为溶剂， 以78 %的产率得到
  参考文献：
  名称：

  KR2023/14555

  摘要：

  公开号：
• 作为产物：
  描述：

  (η5-cyclopentadienyl) hafnium trichloride 、 二甲胺 在 正丁基锂 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 反应 15.0h， 以93%的产率得到tris(dimethylamino)cyclopentadienyl hafnium
  参考文献：
  名称：

  三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物的合成方法

  摘要：

  本发明涉及一种三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物的合成方法，该合成方法包括如下步骤：将二烷基氨与丁基锂进行第一次反应，制备二烷基胺基锂；将所述二烷基胺基锂与环戊二烯基金属氯化物或其加合物进行第二次反应，制备所述三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物。该合成方法制备得到的三(二烷胺基)环戊二烯基金属配合物收率高，且操作简单、生产安全性高。

  公开号：

  CN114957345A

文献信息

• 유기 금속 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자
  申请人：SAMSUNG SDI CO., LTD. 삼성에스디아이 주식회사(119980018058) Corp. No ▼ 110111-0394174BRN ▼124-81-31282

  公开号：KR20200114741A

  公开（公告）日：2020-10-07

  본 발명은 유기 금속 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자 ORGANIC METAL COMPOUND, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM USING THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDINF THIN FILM}에 관한 것이다. 일 구현예에 따른 유기 금속 화합물은 화학식 1로 표시되며, 상기 화학식 1에 대한 구체적인 내용은 명세서에서 정의된 것과 같다.

  这项发明涉及有机金属化合物、利用其制备薄膜的方法以及包括该薄膜的半导体器件。根据一种实施例，有机金属化合物表示为化学式1，关于该化学式1的具体内容如定义书中所述。
• 新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
  申请人：株式会社ＡＤＥＫＡ

  公开号：JP2018203641A

  公开（公告）日：2018-12-27

  【課題】蒸気圧が高く、融点が低く、低いエネルギーで高品質な金属含有薄膜を形成することができる薄膜形成材料に使用するための新規な化合物、該化合物を含有してなる薄膜形成原料、及び該薄膜形成材料を用いた薄膜の製造方法の提供。【解決手段】式（１）で表される新規な化合物。（Ｒ１〜Ｒ７は各々独立にＨ、Ｃ１〜４の鎖状又は分岐状のアルキル基、ＸはＣＨ２ＯＲ８等又はＣ２〜５のアルケニル基、ｎは１又は２、Ｍはジルコニウム、チタンまたはハフニウム、Ｒ８はＣ１〜４の鎖状または分岐状のアルキル基、但し、ｎが１、Ｘがアルケニル基かつＭがチタンである化合物を除く）【選択図】なし

  这是一篇科技专利申请的描述，以下是翻译： 【问题】提供一种用于制造高品质金属含量薄膜的新型化合物，该化合物具有高蒸汽压和低熔点，可用低能量形成薄膜形成材料，以及使用该薄膜形成材料制造薄膜的方法。 【解决方案】提供了一种由式（1）表示的新型化合物。（其中，R1〜R7分别独立表示氢、链状或分支状的C1〜4烷基，X表示CH2OR8等或C2〜5的烯基，n为1或2，M表示锆、钛或铪，R8表示链状或分支状的C1〜4烷基，但不包括n为1，X为烯基且M为钛的化合物）【选择图】无
• Amidoxime-Containing Zr and Hf Atomic Layer Deposition Precursors for Metal Oxide Thin Films
  作者：Ga Yeon Lee、Seung-Hun Lee、In Ho Jo、Chan-Mi Cho、Svetlana Shostak、Ji Yeon Ryu、Bo Keun Park、Seung Uk Son、Cheol Ho Choi、Taeyong Eom、Jeong Hwan Kim、Taek-Mo Chung

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.3c03455

  日期：2024.1.8

  N-dimethylpivalimidamide (tdaoH), along with their Zr and Hf homoleptic complexes, Zr(mdao)4 (1), Hf(mdao)4 (2), Zr(tdao)4 (3), and Hf(tdao)4 (4) were prepared. We further synthesized heteroleptic compounds with different physical properties by introducing cyclopentadienyl (Cp) ligand, namely, CpZr(mdao)3 (5), CpHf(mdao)3 (6), CpZr(tdao)3 (7), and CpHf(tdao)3 (8). Thermogravimetric analysis was used for

  在本文中，我们讨论了八种含有偕胺肟配体的新型锆和铪络合物的合成，作为原子层沉积（ALD）的潜在前体。两种偕胺肟，即( E ) -N'-羟基-N , N-二甲基乙脒 (mdaoH) 和 ( Z ) -N'-羟基-N , N-二甲基新戊肟 (tdaoH)，以及它们的 Zr 和 Hf 均配配合物制备Zr(mdao) 4 ( 1 )、Hf(mdao) 4 ( 2 )、Zr(tdao) 4 ( 3 )和Hf(tdao) 4 ( 4 )。通过引入环戊二烯基（Cp）配体，我们进一步合成了具有不同物理性质的杂配化合物，即CpZr(mdao) 3 ( 5 )、CpHf(mdao) 3 ( 6 )、CpZr(tdao) 3 ( 7 )和CpHf(tdao) ） 3 （ 8 ）。热重分析用于评估配合物1 、 2 、 5和6的蒸发特性，结果显示多步重量损失和高残留量。另一方面，包含tdao配体的配合物3、4、7和
• CN114773403
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——