Furan-2,5-dione;prop-2-enamide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二氢呋喃
• 英文名称: Furan-2,5-dione;prop-2-enamide
• 化学式: C7H7NO4
• 分子量: 169.13
• InChiKey: VGPXMTPKYDNMQA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.72
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  86.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

文献信息

• A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a polymeric polyamine
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2502970A1

  公开（公告）日：2012-09-26

  A chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a composite or mixture thereof, (B) a polymeric polyamine or a salt thereof comprising at least one type of pendant group (Y) which comprises at least one moiety (Z), wherein (Z) is a carboxylate (-COOR1), sulfonate (-SO3R2), sulfate (-O-SO3R3), phosphonate (-P(=O)(OR4)(OR5) ), phosphate (-O-P(=O)(OR6)(OR7) ), carboxylic acid (-COOH), sulfonic acid (-SO3H), sulfuric acid (-O-SO3-), phosphonic acid (-P(=O)(OH)2), phosphoric acid (-O-P(=O)(OH)2) moiety, or their deprotonated forms, R1 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl R2 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R3 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R4 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R5 is H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R6 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R7 is H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, and (C) an aqueous medium.

  一种化学机械抛光（CMP）组合物，包括 (A) 无机颗粒、有机颗粒或它们的复合体或混合物、 (B) 聚合多胺或其盐，包含至少一种悬垂基团 (Y)，其中至少包含一个分子 (Z)、 其中(Z)是羧酸盐(-COOR1)、磺酸盐(-SO3R2)、硫酸盐(-O-SO3R3)、膦 酸盐(-P(=O)(OR4)(OR5) )、磷酸盐(-O-P(=O)(OR6)(OR7) )、羧酸(-COOH)、磺酸 (-SO3H)、硫酸 (-O-SO3-)、膦酸 (-P(=O)(OH)2)、磷酸 (-O-P(=O)(OH)2) 分子，或它们的去质子化形式、 R1 是烷基、芳基、烷芳基或芳烷基 R2 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基 R3 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R4 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R5 是 H、烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R6 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R7 是 H、烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 和 (C) 水介质。
• A CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) COMPOSITION COMPRISING A POLYMERIC POLYAMINE
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2518120A1

  公开（公告）日：2012-10-31

  A chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a composite or mixture thereof, (B) a polymeric polyamine or a salt thereof comprising at least one type of pendant group (Y) which comprises at least one moiety (Z), wherein (Z) is a carboxylate (-COOR1), sulfonate (-SO3R2), sulfate (-O-SO3R3), phosphonate (-P(=O)(OR4)(OR5) ), phosphate (-O-P(=O)(OR6)(OR7) ), carboxylic acid (-COOH), sulfonic acid (-SO3H) sulfuric acid (-O-SO3-), phosphonic acid (-P(=O)(OH)2), phosphoric acid (-O-P(=O)(OH)2) moiety, or their deprotonated forms, R1 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl R2 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R3 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R4 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R5 is H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R6 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R7 is H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, and (C) an aqueous medium.

  一种化学机械抛光（CMP）组合物，包括 (A) 无机颗粒、有机颗粒或它们的复合体或混合物、 (B) 聚合多胺或其盐，包含至少一种悬垂基团 (Y)，其中至少包含一个分子 (Z)、 其中(Z)是羧酸盐(-COOR1)、磺酸盐(-SO3R2)、硫酸盐(-O-SO3R3)、膦 酸盐(-P(=O)(OR4)(OR5) )、磷酸盐(-O-P(=O)(OR6)(OR7) )、羧酸(-COOH)、磺酸（-SO3H）、硫酸（-O-SO3-）、膦酸（-P(=O)(OH)2）、磷酸（-O-P(=O)(OH)2）分子或它们的去质子化形式、 R1 是烷基、芳基、烷芳基或芳烷基 R2 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基 R3 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R4 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R5 是 H、烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R6 是烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R7 是 H、烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 和 (C) 水介质。
• A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material in the presence of a CMP composi-tion having a pH value of 3.0 to 5.5
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2554612A1

  公开（公告）日：2013-02-06

  A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1 ≤ x < 1 in the presence of a chemical mechanical polishing (CMP) composition having a pH value in the range of from 3.0 to 5.5 and comprising: (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, (B) at least one type of an oxidizing agent, and (C) an aqueous medium.

  一种用于制造半导体器件的工艺，包括在化学机械抛光（CMP）组合物存在下，对元素锗和/或Si1-xGex材料进行化学机械抛光，其pH值在3.0至5.5范围内，并包括 (A) 无机颗粒、有机颗粒或它们的混合物或复合材料、 (B) 至少一种氧化剂，以及 (C) 水介质。
• A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or si1-xgex material in the presence of a cmp composi-tion comprising a specific organic compound
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2554613A1

  公开（公告）日：2013-02-06

  A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1 ≤ x < 1 in the presence of a chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising: (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, (B) at least one type of an oxidizing agent, (C) at least one type of an organic compound which comprises at least k} moieties (Z), but excluding salts whose anions are inorganic and whose only organic cation is [NR11R12R13R14]+, wherein k} is 1, (Z) is a hydroxyl (-OH), alkoxy (-OR1), heterocyclic alkoxy (-OR1 as part of a heterocyclic structure), carboxylic acid (-COOH), carboxylate (-COOR2), amino (-NR3R4), heterocyclic amino (-NR3R4 as part of a heterocyclic structure), imino (=N-R5 or -N=R6), heterocyclic imino (=N-R5 or -N=R6 as part of a heterocyclic structure), phosphonate (-P(=O)(OR7)(OR8) ), phosphate (-OP(=O)(OR9)(OR10) ), phosphonic acid (-P(=O)(OH)2), phosphoric acid (-O-P(=O)(OH)2) moiety, or their protonated or deprotonated forms, R1, R2, R7, R9 is - independently from each other - alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R3, R4, R5, R8, R10 is - independently from each other - H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, R6 is alkylene, or arylalkylene, R11 R12, R13 is - independently from each other - H, alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, and R11, R12, R13 does not comprise any moiety (Z), R14 is alkyl, aryl, alkylaryl, or arylalkyl, and R14 does not comprise any moiety (Z), and (D) an aqueous medium.

  一种制造半导体器件的工艺，包括在化学机械抛光（CMP）组合物存在下，对元素锗和/或0.1≤x＜1的Si1-xGex材料进行化学机械抛光： (A) 无机颗粒、有机颗粒或其混合物或复合材料、 (B) 至少一种氧化剂、 (C) 至少一种有机化合物，其中包括至少k}个分子（Z），但不包括阴离子为无机且唯一有机阳离子为[NR11R12R13R14]+的盐、 其中 k} 为 1、 (Z) 是羟基 (-OH)、烷氧基 (-OR1)、杂环烷氧基 (-OR1 作为杂环结构的一部分)、羧酸 (-COOH)、羧酸盐 (-COOR2)、氨基 (-NR3R4)、杂环氨基 (-NR3R4 作为杂环结构的一部分)、亚氨基 (=N-R5 或 -N=R6)、杂环亚氨基（=N-R5 或 -N=R6 作为杂环结构的一部分）、膦酸盐（-P(=O)(OR7)(OR8) ）、磷酸盐（-OP(=O)(OR9)(OR10) ）、膦酸（-P(=O)(OH)2）、磷酸（-O-P(=O)(OH)2）分子，或它们的质子化或去质子化形式、 R1、R2、R7、R9 相互独立地是烷基、芳基、烷芳基或芳烷基、 R3、R4、R5、R8、R10 相互独立地是 H、烷基、芳基、烷芳基或芳基烷基、 R6 是亚烷基或芳烷基、 R11 R12、R13 独立地互为 H、烷基、芳基、烷芳基或芳烷基，且 R11、R12、R13 不包含任何分子 (Z)、 R14 是烷基、芳基、烷芳基或芳烷基，且 R14 不包含任何分子（Z）、 和 (D) 水介质。
• A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a glycoside
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2568024A1

  公开（公告）日：2013-03-13

  A chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, (B) a glycoside of the formulae 1 to 6 wherein R1 is alkyl, aryl, or alkylaryl, R2 is H, X1, X2, X3, X4, X5, X6, alkyl, aryl, or alkylaryl, R3 is H, X1, X2, X3, X4, X5, X6, alkyl, aryl, or alkylaryl, R4 is H, X1, X2, X3, X4, X5, X6, alkyl, aryl, or alkylaryl, R5 is H, X1, X2, X3, X4, X5, X6, alkyl, aryl, or alkylaryl, and the total number of monosaccharide units (X1, X2, X3, X4, X5, or X6) in the glycoside is in the range of from 1 to 20, and (C) an aqueous medium.

  一种化学机械抛光（CMP）组合物，包括 (A) 无机颗粒、有机颗粒或它们的混合物或复合材料、 (B) 式 1 至 6 的糖苷 其中 R1 是烷基、芳基或烷基芳基、 R2 是 H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷基芳基、 R3 是 H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷基芳基、 R4 是 H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷基芳基、 R5是H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷基芳基，苷中单糖单元（X1、X2、X3、X4、X5或X6）的总数在1至20的范围内、 和 (C) 水介质。