organic field‐effect transistor devices were fabricated using these two kinds of polymers as the active material. Of interest, the devices based on P1 polymers displayed n‐channel behaviors with an electron mobility in the order of 10−4 cm2 V−1 s−1. In contrast, the P2‐based devices exhibited only p‐channel charge transportation characteristics with a hole mobility in the order of 10−3 cm2 V−1 s−1. © 2014
除了施主-受主(D-A)类型之外,受主-受主(
AA)
聚合物是另一类重要的替代共轭共聚物,但在过去很少进行研究。在这项研究中,二种A-A
聚合物,P1和P2,已经设计并基于二
酮吡咯并
吡咯在结合第二缺电子单元,
苝二
酰亚胺或
噻吩并[3,4-合成Ç ]
吡咯-4,6- dione。紫外可见吸收光谱表明,这两种
聚合物的带隙为1.28–1.33 eV。对于P1
聚合物,它们的最高占据分子轨道能级和最低未占据分子轨道能级约为-5.6和-4.0 eV ,而对于P2
聚合物则为-5.4和-3.7 eV
聚合物。密度泛函理论研究表明,P1骨架处于极大扭曲状态,而P2骨架完全处于平面状态。此外,使用这两种
聚合物作为活性材料制造了有机场效应晶体管器件。有趣的是,基于P1
聚合物的器件显示出n沟道行为,其电子迁移率约为10 -4 cm 2 V -1 s -1。相比之下,基于P2的器件仅表现出p沟道电荷传输特性,其空穴迁移率约为10