N,N-bis-(2-propionyloxy-ethyl)-aniline | 51919-94-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: N,N-bis-(2-propionyloxy-ethyl)-aniline
• 英文别名: N,N-Bis-(2-propionyloxy-aethyl)-anilin；2-[N-(2-propanoyloxyethyl)anilino]ethyl propanoate
• CAS: 51919-94-9
• 化学式: C₁₆H₂₃NO₄
• 分子量: 293.363
• InChiKey: PYAQEJYDGOCOKY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.8
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  11
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  55.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  N,N-二羟乙基苯胺 、 丙酸酐 生成 N,N-bis-(2-propionyloxy-ethyl)-aniline
  参考文献：
  名称：

  Methine dyestuffs

  摘要：

  公开号：

  US02811544A1

文献信息

• ONIUM SALT COMPOUND, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20210179554A1

  公开（公告）日：2021-06-17

  An onium salt having formula (1) serving as an acid diffusion inhibitor and a chemically amplified resist composition comprising the acid diffusion inhibitor are provided. When processed by lithography, the resist composition exhibits a high sensitivity, and excellent lithography performance factors such as CDU and LWR.

  提供一种具有化学式（1）的醇铵盐，用作酸扩散抑制剂，以及包括该酸扩散抑制剂的化学增强型抗蚀剂组合物。当通过光刻加工时，该抗蚀剂组合物表现出高灵敏度和优异的光刻性能因素，例如CDU和LWR。
• RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200249571A1

  公开（公告）日：2020-08-06

  A resist composition comprising a sulfonium salt having formula (1) as PAG, a base polymer, and an organic solvent, when processed by lithography, has light transmittance, acid diffusion suppressing effect, and excellent lithography performance factors such as DOF, LWR and MEF. A lithography process for forming a resist pattern from the composition is also provided.

  一种抗蚀组合物，包括具有公式（1）作为PAG的磺酸盐、基础聚合物和有机溶剂。在光刻工艺中加工时，该组合物具有光透过率、抑制酸扩散效果和优异的光刻性能因素，例如DOF、LWR和MEF。还提供了一种从该组合物形成抗蚀图案的光刻工艺。
• ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20220127225A1

  公开（公告）日：2022-04-28

  An onium salt having formula (1) serving as an acid diffusion inhibitor and a chemically amplified resist composition comprising the acid diffusion inhibitor are provided. When processed by lithography, the resist composition forms a pattern having minimal defects and excellent lithography performance factors such as CDU, LWR and DOF.

  提供一种化学式为(1)的盐类，作为酸扩散抑制剂，并提供一种化学增强型光刻胶组合物，其中包括该酸扩散抑制剂。当通过光刻技术进行加工时，该光刻胶组合物形成的图案具有最小的缺陷和出色的光刻性能因子，如CDU、LWR和DOF。