BThBBT | 1234208-73-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻二唑类
• 英文名称: BThBBT
• 英文别名: 2,8-Bis(1-benzothiophen-2-yl)-5lambda4,11-dithia-4,6,10,12-tetrazatricyclo[7.3.0.03,7]dodeca-1(12),2,4,5,7,9-hexaene；2,8-bis(1-benzothiophen-2-yl)-5λ4,11-dithia-4,6,10,12-tetrazatricyclo[7.3.0.03,7]dodeca-1(12),2,4,5,7,9-hexaene
• CAS: 1234208-73-1
• 化学式: C₂₂H₁₀N₄S₄
• 分子量: 458.612
• InChiKey: NPNOJROVYHXUSU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.2
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  136
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2-三丁基锡苯并[B]噻吩 、 4,7-二溴苯并[1,2-c:4,5-c']双([1,2,5]噻二唑) 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 23.0h， 以34%的产率得到BThBBT
  参考文献：
  名称：

  Dithienylbenzobis(thiadiazole) based organic semiconductors with low LUMO levels and narrow energy gaps

  摘要：

  使用苯并双（噻二唑）（BBT）单元开发出具有高迁移率（0.77 cm2 V−1 s−1）和良好空气稳定性的新型OFET材料，而高FET性能则归因于低LUMO水平和薄膜形态。

  DOI：

  10.1039/b925151k

文献信息

• Integrated System Built for Small-Molecule Semiconductors via High-Throughput Approaches
  作者：Jianchang Wu、Jiyun Zhang、Manman Hu、Patrick Reiser、Luca Torresi、Pascal Friederich、Leopold Lahn、Olga Kasian、Dirk M. Guldi、M. Eugenia Pérez-Ojeda、Anastasia Barabash、Juan S. Rocha-Ortiz、Yicheng Zhao、Zhiqiang Xie、Junsheng Luo、Yunuo Wang、Sang Il Seok、Jens A. Hauch、Christoph J. Brabec

  DOI：10.1021/jacs.3c03271

  日期：2023.8.2

  system for the high-throughput synthesis, purification, and characterization of molecules with a large variety. Based on the principle “Like dissolves like,” we combine theoretical calculations and a robotic platform to accelerate the purification of those molecules. With this platform, a material library containing 125 molecules and their optical-electronic properties was built within a timeframe of

  可溶液加工的结构可变小分子半导体的高通量合成既是机遇也是挑战。大量不同的分子为基于实验数据的快速材料发现和机器学习提供了可能性。然而分子结构的多样性导致了分子溶解度、极性、结晶度等性质的复杂性，给溶液处理和纯化带来了巨大的挑战。在这里，我们首先报道了一种用于多种分子的高通量合成、纯化和表征的集成系统。基于“同类相溶”的原理，我们结合理论计算和机器人平台来加速这些分子的纯化。借助该平台，在几周的时间内构建了包含 125 个分子及其光电特性的材料库。更重要的是，我们设计的高重复性重结晶是进一步升级和工业化生产的可靠途径。
• Dithienylbenzobis(thiadiazole) based organic semiconductors with low LUMO levels and narrow energy gaps
  作者：Takahiro Kono、Daisuke Kumaki、Jun-ichi Nishida、Shizuo Tokito、Yoshiro Yamashita

  DOI：10.1039/b925151k

  日期：——

  Novel OFET materials showing high mobility (0.77 cm2 V−1 s−1) and good air-stability were developed using a benzobis(thiadiazole) (BBT) unit and the high FET performance was attributed to the low LUMO level and the film morphology.

  使用苯并双（噻二唑）（BBT）单元开发出具有高迁移率（0.77 cm2 V−1 s−1）和良好空气稳定性的新型OFET材料，而高FET性能则归因于低LUMO水平和薄膜形态。