24,48-Difluoro-7,17,28,38-tetrazatridecacyclo[24.16.2.22,5.18,12.129,33.03,22.04,19.06,17.023,43.027,38.040,44.016,46.037,45]octatetraconta-1(43),2(48),3(22),4(19),5(47),6,8,10,12(46),13,15,20,23,25,27,29,31,33(45),34,36,40(44),41-docosaene-18,39-dione | 946612-37-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二氮杂萘
• 英文名称: 24,48-Difluoro-7,17,28,38-tetrazatridecacyclo[24.16.2.22,5.18,12.129,33.03,22.04,19.06,17.023,43.027,38.040,44.016,46.037,45]octatetraconta-1(43),2(48),3(22),4(19),5(47),6,8,10,12(46),13,15,20,23,25,27,29,31,33(45),34,36,40(44),41-docosaene-18,39-dione
• CAS: 946612-37-9
• 化学式: C₄₄H₁₈F₂N₄O₂
• 分子量: 672.649
• InChiKey: AHCXIKKXKQAVJS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.9
• 重原子数：
  52
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  13.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  65.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

文献信息

• FLUORIERTE RYLENTETRACARBONSÄUREDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG
  申请人：BASF SE

  公开号：EP1987092B1

  公开（公告）日：2013-05-22
• FLUORINATED RYLENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND USE THEREOF
  申请人：Könemann Martin

  公开号：US20090166614A1

  公开（公告）日：2009-07-02

  The present invention relates to fluorinated rylenetetracarboxylic acid derivatives, to a process for their preparation and to their use, especially as n-type semiconductors.
• US8350035B2
  申请人：——

  公开号：US8350035B2

  公开（公告）日：2013-01-08
• [DE] FLUORIERTE RYLENTETRACARBONSÄUREDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG<br/>[EN] FLUORINATED RYLENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND USE THEREOF<br/>[FR] DERIVES FLUORES D'ACIDE RYLENETETRACARBOXYLIQUE ET LEUR UTILISATION
  申请人：BASF AG

  公开号：WO2007093643A1

  公开（公告）日：2007-08-23

  [EN] The present invention relates to fluorinated rylenetetracarboxylic acid derivatives, to a process for their preparation and to their use, especially as n-type semiconductors.
  [FR] La présente invention concerne des dérivés fluorés d'acide rylènetétracarboxylique, leur procédé de fabrication et leur utilisation, notamment en tant que semi-conducteur de type n.
  [DE] Die vorliegende Erfindung betrifft fluorierte Rylentetracarbonsäurederivate, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung, insbesondere als Halbleiter vom n-Typ.