已经合成了含有交替的富电子的噻吩并[3,2- b ]噻吩单元和缺电子单元的新型偶极化合物。通过单晶X射线衍射法对具有5-嘧啶基(化合物2)或苯并噻唑(化合物5)作为电子缺陷单元的化合物进行结构表征。发现分子的排列为2的一维滑动π堆栈。的这5是滑动-π堆叠的,尽管相邻的π堆叠之间的倾斜角。对于2和5,晶格中分子的π-π界面距离分别为3.47和3.59Å 。根据晶体结构,化合物如图2所示,沿着分子的短轴的π-π滑移可忽略不计,其计算的电子偶联值(0.153 eV)是并五苯最大偶联的两倍。因此,尽管重组能量较大,但理论上估计的2(2.32 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)与并五苯(1.93−5.43 cm 2 s -1 V -1)的空穴迁移率(μ +)较好用于2中的空穴输送。噻吩并[3,2- b ]噻吩和嘧啶基单元之间存在对称的堆栈内S···C接触,这说明了其晶体结构的独特特征。2,由此产生的大电子耦合。
cross-coupling reaction between (hetero)aryl boronic esters and arylsulfides was explored, of which universality was exemplified with thirty small molecules and twelve alternating conjugated polymers. Mechanism studies revealed the importance of room temperature and anhydrous condition in reducing the homocoupling defects and enhancing the optoelectronic properties of the conjugated polymers.