3-(1H-naphtho[1,8-de][1,3,2]diazaborinin-2(3H)-yl)phenol | 1629786-21-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 3-(1H-naphtho[1,8-de][1,3,2]diazaborinin-2(3H)-yl)phenol
• CAS: 1629786-21-5
• 化学式: C₁₆H₁₃BN₂O
• 分子量: 260.103
• InChiKey: KBPKVOQSROYRRP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.78
• 重原子数：
  20.0
• 可旋转键数：
  1.0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  44.29
• 氢给体数：
  3.0
• 氢受体数：
  3.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3-羟基苯硼酸 、 1,8-二氨基萘 在 咪唑 、 iron(III) chloride 作用下， 以 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 0.5h， 以92%的产率得到3-(1H-naphtho[1,8-de][1,3,2]diazaborinin-2(3H)-yl)phenol
  参考文献：
  名称：

  Iron Catalysis and Water: A Synergy for Refunctionalization of Boron

  摘要：

  A new catalytic system has been optimized to promote the conversion of boron species into others. FeCl3 associated with imidazole and water favors boron refunctionalization under mild conditions.

  DOI：

  10.1055/s-0033-1340500

文献信息

• [EN] SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND COMPOSITION<br/>[FR] PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSITION<br/>[JA] 半導体基板の製造方法及び組成物
  申请人：[en]JSR CORPORATION;[ja]ＪＳＲ株式会社

  公开号：WO2023162780A1

  公开（公告）日：2023-08-31

  エッチング耐性及び耐熱性に優れる膜を形成可能な組成物を用いる半導体基板の製造方法及び組成物を提供することを目的とする。基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成されたレジスト下層膜に直接又は間接にレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程とを含み、上記レジスト下層膜形成用組成物が、ホウ素原子を有する化合物と、溶媒とを含有する、半導体基板の製造方法。