缺乏可靠的长期可持续能源供应被认为是全球性的重大技术挑战。通过光催化生成H 2是一种环境友好的替代方案,可以帮助解决能源问题。因此,开发可以吸收太阳光的半导体材料是一种有吸引力的方法。TiO 2具有较宽的带隙,在可见光谱中没有任何活性,限制了其对太阳辐射的使用。在此研究中,半导体吸收曲线通过制备
卟啉的TiO延伸到太阳光谱的可见区域2(P -TiO 2)的复合材料的内消旋-四(4-
溴苯基)
卟啉(PP1)和内消旋-四(5-
溴-2-
噻吩基)
卟啉(PP2)及其In(III),Zn(II)和Ga(III)
金属配合物。对
卟啉进行了密度泛函理论(DFT)和时变密度泛函理论(TD-DFT)计算,以了解其电子注入能力。结果表明,对于需要高效光催化H 2生成的应用,P -TiO 2系统值得进一步深入研究。