6-acetoxy-naphthalene-2-sulfonic acid | 19694-57-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 6-acetoxy-naphthalene-2-sulfonic acid
• 英文别名: 6-Acetoxy-naphthalin-2-sulfonsaeure；6-Acetyloxynaphthalene-2-sulfonic acid
• CAS: 19694-57-6
• 化学式: C₁₂H₁₀O₅S
• 分子量: 266.274
• InChiKey: FXFBRGLEZFXMGY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.4
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.08
• 拓扑面积：
  89
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  6-acetoxy-naphthalene-2-sulfonic acid 在 氢氧化钾 、 乙醚 、 乙醇 、 五氯化磷 作用下， 生成 6-hydroxy-naphthalene-2-sulfonic acid anilide
  参考文献：
  名称：

  Pollak; Blumenstock-Halward, Monatshefte fur Chemie, 1928, vol. 49, p. 204

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  sodium 2-naphthol-6-sulfonate 、 乙酸酐 在 sodium acetate 作用下， 生成 6-acetoxy-naphthalene-2-sulfonic acid
  参考文献：
  名称：

  Pollak; Blumenstock-Halward, Monatshefte fur Chemie, 1928, vol. 49, p. 204

  摘要：

  DOI：

文献信息

• ONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20200369605A1

  公开（公告）日：2020-11-26

  An onium salt of formula (1) and a chemically amplified resist composition comprising the same as a PAG are provided. When processed by lithography, the resist composition exhibits a high sensitivity, minimal LWR and improved CDU independent of whether it is of positive or negative tone.

  提供一种化学式为（1）的铵盐和包括该铵盐作为PAG的化学增感抗蚀组合物。通过光刻加工时，该抗蚀组合物表现出高灵敏度，最小LWR和改善的CDU，无论其为正像还是负像。
• MONOMER, POLYMER, POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20170008982A1

  公开（公告）日：2017-01-12

  A polymer comprising recurring units derived from a polymerizable monomer having two structures of hydroxyphenyl methacrylate having a hydroxy group substituted with an acid labile group is used as base resin in a positive resist composition, especially chemically amplified positive resist composition. The resist composition forms a resist film which is processed by lithography into a pattern of good profile having a high resolution, minimal edge roughness, and etch resistance.

  一种聚合物，包含由可聚合单体衍生的重复单元，该单体具有两种羟基苯甲酸甲酯结构，羟基上取代有酸不稳定基团，作为正性光刻胶组成中的基础树脂，尤其是化学放大正性光刻胶组成中。该光刻胶组成形成一种光刻胶膜，通过光刻技术加工成具有高分辨率、最小边缘粗糙度和蚀刻抗性的良好轮廓图案。
• SULFONIUM SALT, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20220107560A1

  公开（公告）日：2022-04-07

  A sulfonium salt having formula (1) is novel. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt as a PAG has advantages including solvent solubility and improved lithography properties such as EL and LWR when processed by photolithography using high-energy radiation such as KrF or ArF excimer laser, EB or EUV.

  一种具有式（1）的硫铵盐是新颖的。包含该硫铵盐作为PAG的化学增感抗蚀剂组成物具有溶剂溶解性和改善的光刻特性，例如EL和LWR，当使用高能辐射进行光刻，如KrF或ArF准分子激光、EB或EUV。
• Heller, Journal fur praktische Chemie (Leipzig 1954), 1929, vol. <2> 121, p. 201
  作者：Heller

  DOI：——

  日期：——
• MONOMER, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP3205640B1

  公开（公告）日：2019-05-22