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Gallium--platinum (2/1) | 12786-51-5

分子结构分类

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Gallium--platinum (2/1)
英文别名
gallane;platinum
Gallium--platinum (2/1)化学式
CAS
12786-51-5
化学式
Ga2Pt
mdl
——
分子量
334.526
InChiKey
UPBDNXLCQUHQCA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -2.37
  • 重原子数:
    3
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Pt: MVol.A6, 3.4, page 751 - 755
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    platinum(bis-dimethylglyoximato)(bis-dimethylgallium) 在 氢气 作用下, 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 Gallium--platinum (2/1)
    参考文献:
    名称:
    来自混合金属有机金属化合物的 CoGa 和 PtGa2 薄膜的化学气相沉积
    摘要:
    已经证明了一种用于从挥发性有限的有机金属前体沉积薄金属膜的新工艺。络合物二氯(四羰基钴)镓(III)四氢呋喃、(CO)4CoGaCl2(THF)或铂(双二甲基乙醛肟)(双二甲基镓)、Pt{(N2C2(CH3)2O2)(GaMe2)的短程蒸汽传输}2,每个在氢气流下,分别在 500 °C 的 Si (100) 晶片或载玻片等基板上形成金属间化合物 CoGa 和 PtGa2 的薄膜。通过X射线衍射、俄歇电子和X射线光电子能谱对化合物进行鉴定和表征。这些薄膜是结晶的并且具有高反射性。CoGa薄膜是单相的;PtGa2 薄膜显示出 Pt2Ga3 的微量成分。
    DOI:
    10.1063/1.102370
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文献信息

  • On the preparation and crystal structure of a new form of PtGa2
    作者:D Swenson、B Morosin
    DOI:10.1016/s0925-8388(96)02373-0
    日期:1996.10
    Abstract The crystal structure of the silver-colored form of PtGa 2 has been reported for the first time. It belongs to the space group I 4 1 acd with the lattice parameters a = 8.5544(4) and c = 21.574(17) A , and Z = 32. The structure consists of layers of Pt and Ga stacked along the c axis, in which two crystallographically different Pt and Ga atoms have similar environments involving eight and
    摘要 首次报道了PtGa 2 色形式的晶体结构。它属于空间群 I 4 1 acd,晶格参数为 a = 8.5544(4) 和 c = 21.574(17) A ,Z = 32。该结构由沿 c 轴堆叠的 Pt 和 Ga 层组成,在其中两个晶体学不同的 Pt 和 Ga 原子具有相似的环境,分别涉及八个和九个最近的邻居。根据文献中最近报道的一些晶体学数据,这种结构排列可能是三元属 B 族相家族的原型。目前的研究还需要改变目前公认的 GaPt 相图。根据目前的研究,化学计量的PtGa 2 在从黄萤石结构冷却到上述色四方结构时经历结构转变。然而,如果萤石结构相的组成为贫Ga,则转变受到抑制。这种行为让人联想到缺陷稳定的立方 ZrO 2 ,​​它也具有萤石结构。
  • Zintl, E.; Harder, A.; Haucke, W,, Zeitschrift fur Physikalische Chemie, Abteilung B: Chemie der Elementarprozesse, Aufbau der Materie, 1937, vol. 35, p. 354 - 362
    作者:Zintl, E.、Harder, A.、Haucke, W,
    DOI:——
    日期:——
  • Hellner, E.; Laves, F., Zeitschrift fur Naturforschung, <hi>1947</hi>, vol. 2 a, p. 177 - 183
    作者:Hellner, E.、Laves, F.
    DOI:——
    日期:——
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