2',7'-dicyclohexyl-3',6'-dihydroxy-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-one | 119415-24-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并吡喃
• 英文名称: 2',7'-dicyclohexyl-3',6'-dihydroxy-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-one
• 英文别名: 2',7'-Dicyclohexyl-3',6'-dihydroxy-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-on；2',7'-Dicyclohexyl-3',6'-dihydroxyspiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one
• CAS: 119415-24-6
• 化学式: C₃₂H₃₂O₅
• 分子量: 496.603
• InChiKey: UWNMLQZWPURLRB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  8.5
• 重原子数：
  37
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.41
• 拓扑面积：
  76
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2',7'-dicyclohexyl-3',6'-dihydroxy-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-one 在 乙醇 、 溴 作用下， 生成 4',5'-dibromo-2',7'-dicyclohexyl-3',6'-dihydroxy-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-one
  参考文献：
  名称：

  FURTHER STUDIES IN THE ALKYLATION OF PHENOLS AND THIOPHENOLS

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo01146a024
• 作为产物：
  描述：

  苯酐 、 4-环己基雷琐辛 在 zinc(II) chloride 作用下， 生成 2',7'-dicyclohexyl-3',6'-dihydroxy-spiro[phthalan-1,9'-xanthen]-3-one
  参考文献：
  名称：

  FURTHER STUDIES IN THE ALKYLATION OF PHENOLS AND THIOPHENOLS

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo01146a024

文献信息

• Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2813892A2

  公开（公告）日：2014-12-17

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of fluorescein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO2 substrates.

  在光刻技术中，一种由包含荧光素复现单元的 novolak 树脂组成的组合物可用于形成光刻胶底层膜。 该底层膜可在碱水中剥离，不会对离子注入的硅基底或二氧化硅基底造成损坏。
• Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming processes
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2813892B1

  公开（公告）日：2020-06-17
• UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20140363957A1

  公开（公告）日：2014-12-11

  In lithography, a composition comprising a novolak resin comprising recurring units of fluorescein is used to form a photoresist underlayer film. The underlayer film is strippable in alkaline water, without causing damage to ion-implanted Si substrates or SiO 2 substrates.
• US9136121B2
  申请人：——

  公开号：US9136121B2

  公开（公告）日：2015-09-15