Tris-(2-isobutoxy-ethyl)-amin | 10429-77-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: Tris-(2-isobutoxy-ethyl)-amin
• 英文别名: tris(2-isobutylyloxyethyl)amine；2-(2-methylpropoxy)-N,N-bis[2-(2-methylpropoxy)ethyl]ethanamine
• CAS: 10429-77-3
• 化学式: C₁₈H₃₉NO₃
• 分子量: 317.513
• InChiKey: VAWBXGAMZCXFHA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.8
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  15
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  30.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

文献信息

• Method for manufacturing substrate for making microarray
  申请人：Kusaki Wataru

  公开号：US20080233309A1

  公开（公告）日：2008-09-25

  To provide a method for manufacturing a substrate for making a microarray which will ensure the secure immobilization of a material in a site-selective manner at a low cost. The method comprises the steps of: forming a monomolecular film on the surface of a substrate using a silane compound represented by the following general formula (1), Y 3 Si—(CH 2 ) m —X   (1) ,wherein m represents an integer from 3 to 20; X represents a hydroxyl group precursor functional group which will be converted to a hydroxyl group when exposed to acid; and Y independently represents a halogen atom or alkoxy group having 1-4 carbon atoms; and converting the hydroxyl group precursor functional group represented by X to a hydroxyl group; wherein the step of converting a hydroxyl group precursor functional group represented by X to a hydroxyl group comprises forming, on the monomolecular film, a polymer layer containing a compound represented by the following general formula (2) or (3),

  提供一种制造微阵列基板的方法，该方法将确保以低成本在位选择性地安全固定材料。该方法包括以下步骤：使用下列一般式（1）所表示的硅烷化合物在基板表面形成单分子膜，Y3Si—（CH2）m—X  （1），其中m表示从3到20的整数；X表示羟基前体官能团，当暴露于酸时将转化为羟基；Y独立地表示卤素原子或具有1-4个碳原子的烷氧基；并将由X表示的羟基前体官能团转化为羟基；其中将由X表示的羟基前体官能团转化为羟基的步骤包括在单分子膜上形成含有下列一般式（2）或（3）所表示的化合物的聚合物层。
• Photo acid generator, chemical amplification resist material and pattern formation method
  申请人：——

  公开号：US20030224290A1

  公开（公告）日：2003-12-04

  A high resolution resist material comprising an acid generator is provided so that high sensitivity and high resolution for high energy rays of 300 nm or less, small line-edge roughness, and excellence in heat stability and storage stability are obtained. Moreover, a pattern formation method using this resist material are provided. Specifically, a novel compound of the following general formula (1); and a positive resist material comprising this compound preferably as a photo acid generator, and a base resin; are provided. This positive resist material may contain a basic compound or a dissolution inhibitor. Further, the present invention provides a pattern formation method comprising the steps of applying this positive resist material on a substrate, then heat-treating the material, exposing the treated material to a high energy ray having a wavelength of 300 nm or less via a photo mask, optionally heat-treating the exposed material, and developing the material using a developer. 1

  本研究提供了一种由酸发生器组成的高分辨率抗蚀剂材料，从而获得了对 300 纳米或更小的高能射线的高灵敏度和高分辨率，线边粗糙度小，热稳定性和储存稳定性优异。此外，还提供了一种使用这种抗蚀剂材料的图案形成方法。具体地说，本发明提供了以下通式（1）的新型化合物；以及由该化合物（最好作为光酸发生剂）和碱树脂组成的正抗蚀剂材料。这种正抗蚀剂材料可以含有碱性化合物或溶解抑制剂。此外，本发明还提供了一种图案形成方法，包括以下步骤：将这种正抗蚀剂材料涂在基底上，然后对材料进行热处理，通过光罩将处理后的材料暴露于波长为 300 纳米或以下的高能射线下，可选择对暴露的材料进行热处理，以及使用显影剂对材料进行显影。 1
• US7090961B2
  申请人：——

  公开号：US7090961B2

  公开（公告）日：2006-08-15
• US7211367B2
  申请人：——

  公开号：US7211367B2

  公开（公告）日：2007-05-01
• US8148053B2
  申请人：——

  公开号：US8148053B2

  公开（公告）日：2012-04-03