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4-diethylamino-2-methyl-butan-2-ol | 18502-51-7

中文名称
——
中文别名
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英文名称
4-diethylamino-2-methyl-butan-2-ol
英文别名
4-Diaethylamino-2-methyl-butan-2-ol;1-(N,N-Diethylamino)-3-methyl-butanol-(3);4-(Diethylamino)-2-methyl-2-butanol;4-(diethylamino)-2-methylbutan-2-ol
4-diethylamino-2-methyl-butan-2-ol化学式
CAS
18502-51-7
化学式
C9H21NO
mdl
——
分子量
159.272
InChiKey
QXLLIGMLDCMSNI-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
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  • 表征谱图
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  • 相关功能分类
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物化性质

  • 沸点:
    3.5-4.5 °C(Press: 11 Torr)
  • 密度:
    0.8457 g/cm3

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.3
  • 重原子数:
    11
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    23.5
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    2

反应信息

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文献信息

  • IGF-1R INHIBITOR
    申请人:KYOWA HAKKO KOGYO CO., LTD.
    公开号:EP1847532A1
    公开(公告)日:2007-10-24
    The present invention provides a type I insulin-like growth factor receptor (IGF-1R) inhibitor comprising, as an active ingredient, an indazole derivative represented by Formula (I): wherein R1 represents -NR4R5 [wherein R4 represents a hydrogen atom or the like, R5 represents substituted or unsubstituted lower alkyl, -C(=O)R6 (wherein R6 represents substituted or unsubstituted lower alkyl, substituted or unsubstituted aryl or the like), or the like], or the like, and R2 and R3 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, hydroxy, substituted or unsubstituted lower alkoxy, or the like} or a pharmaceutically acceptable salt thereof, and the like.
    本发明提供了一种 I 型胰岛素样生长因子受体(IGF-1R)抑制剂,其活性成分包括由式(I)表示的吲唑衍生物: 其中R1代表-NR4R5[其中R4代表氢原子或类似物,R5代表取代或未取代的低级烷基、-C(=O)R6(其中R6代表取代或未取代的低级烷基、取代或未取代的芳基或类似物)]或类似物,R2和R3可以相同或不同,各自代表氢原子、羟基、取代或未取代的低级烷氧基或类似物}或其药学上可接受的盐等。
  • Mndshojan et al., Doklady Akademii Nauk Armyanskoi SSR, 1957, vol. 24, p. 207,210, 216
    作者:Mndshojan et al.
    DOI:——
    日期:——
  • Nasarow; Kruglikowa, Zhurnal Obshchei Khimii, 1957, vol. 27, p. 346,353; engl. Ausg. S. 387, 394
    作者:Nasarow、Kruglikowa
    DOI:——
    日期:——
  • Alkoxide Compound, Thin Film-Forming Material And Method For Forming Thin Film
    申请人:Yamada Naoki
    公开号:US20080085365A1
    公开(公告)日:2008-04-10
    The alkoxide compound of the present invention is represented by general formula (I) below. The alkoxide compound of the present invention is an iron compound that can be delivered in a liquid state and is easily vaporized due to its high vapor pressure. The compound particularly enables production of thin films with excellent composition controllability, and hence is suitable for producing multi-component thin films by CVD. (In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or C 1-4 alkyl group, R 3 and R 4 each represent a C 1-4 alkyl group, and A represents a C 1-8 alkanediyl group.)
  • US7501153B2
    申请人:——
    公开号:US7501153B2
    公开(公告)日:2009-03-10
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