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| 1543111-85-8

中文名称
——
中文别名
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英文名称
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英文别名
——
化学式
CAS
1543111-85-8
化学式
C46H48N4O4S2
mdl
——
分子量
785.044
InChiKey
DWAUURXTVSILSS-WQVHNPAPSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
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物化性质

  • 熔点:
    257-258.1 °C
  • 沸点:
    801.5±75.0 °C(predicted)
  • 密度:
    1.29±0.1 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    12.16
  • 重原子数:
    56.0
  • 可旋转键数:
    16.0
  • 环数:
    8.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.35
  • 拓扑面积:
    91.62
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    8.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    2-trimethylstannylbenzofuran四(三苯基膦)钯三(邻甲基苯基)磷 作用下, 以 甲苯 为溶剂, 反应 5.0h, 以75%的产率得到
    参考文献:
    名称:
    Conjugated electron donor–acceptor molecules with (E)-[4,4′-biimidazolylidene]-5,5′(1H,1′H)-dione for new organic semiconductors
    摘要:
    报告了具有(E)-[4,4â²-双咪唑亚基]-5,5â²(1H,1â²H)-二酮(BID)分子的新型共轭DâA分子BTBID、BFBID、TBID、2BIDBDT和2BIDBT。根据各自的吸收光谱和氧化还原电位,估算了它们的HOMO(§5.30至§5.52 eV)、LUMO(§3.81至§3.86 eV)和带隙(1.46至§1.68 eV)。通过延长共轭长度,可以有效地调节HOMO能量和带隙。介绍了 BTBID 的晶体结构。晶体内存在分子间电子供体与受体的相互作用,但不存在分子间电子供体与受体的相互作用。利用传统的溶液加工技术制造了具有这些共轭分子薄膜的 OFET,并观察到了 p 型半导体特性。与 BTBID 和 BFBID 相比,TBID、2BIDBDT 和 2BIDBT 薄膜的空穴迁移率相对较高,热退火后分别达到 0.037 cm2 Vâ1 sâ1 、0.022 cm2 Vâ1 sâ1 和 0.020 cm2 Vâ1 sâ1,尽管 2BIDBDT 和 2BIDBT 薄膜的形态较差。
    DOI:
    10.1039/c3tc31741b
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