[EN] GROUP 11 MONO-METALLIC PRECURSOR COMPOUNDS AND USE THEREOF IN METAL DEPOSITION [FR] COMPOSÉS PRÉCURSEURS MONOMÉTALLIQUES DU GROUPE 11 ET UTILISATION DE CEUX-CI DANS LE DÉPÔT DE MÉTAL
摘要:
本申请提供了用于在基底上沉积11族金属的前体化合物,例如微电子器件基底,以及合成这种前体化合物的方法。所提供的前体化合物是包含有一种具有一般式的二氨基卡宾(DAC)的单金属化合物:DAC - M - X。其中,二氨基卡宾是一种可选择取代的饱和N-杂环二氨基卡宾(sNHC)或可选择取代的非环二氨基卡宾,M是11族金属,如铜、银或金;X是一种阴离子配体。还提供了合成前体化合物的方法,利用这种前体化合物的金属沉积方法,以及复合材料,例如微电子器件结构,以及通过使用这种前体和沉积方法形成的产品。