摘要:
基于苯并二噻吩(BDT )的一系列共轭施主(D)-π-受体(A)共聚物P(BDT-F-BT),P(BDT-T-BT)和P(BDT-TT-BT)通过钯催化的斯蒂勒偶联法设计合成了供体单元和具有不同π桥的苯并噻二唑(BT)受体单元。所述BDT供体单元和受体BT单元之间的π-桥是呋喃(˚F)在P(BDT-F-BT),噻吩(Ť中)P(BDT-T-BT)和噻吩并[3,2- b ]噻吩(TT)在P(BDT-TT-BT)。已经发现,π-桥显着影响共聚物的分子结构和光电性能。随着呋喃到噻吩,然后到噻吩并[3,2- b ]噻吩的π桥变化,分子链的形状逐渐从z形变为几乎直线。的带隙P(BDT-F-BT),P(BDT-T-BT)和P(BDT-TT-BT),从1.96至1.82调谐到1.78电子伏特与HOMO能级向上移从-5.44到-5.35至-5.21 eV。以聚合物为施主和PC 71 BM为受体的块状异质结太