通过
金属有机
化学气相沉积(MOCVD)和直流磁控溅射制备了Pt/RuO 2 /Ru/poly-Si(多晶
硅)结构的RuO 2 /Ru缓冲层。MOCVD沉积的RuO 2 /Ru阻挡层显示出稳定的界面,即使在800℃的高退火温度下也不影响
铂底电极的表面形貌。在 O 2 环境中,在高于 700°C 的退火温度下,阻挡层有效地防止了 Pt、O 和 Si 的相互扩散。另一方面,通过直流溅射形成的RuO 2 /Ru 阻挡层表现出严重的混合,并强烈影响高温退火时的
铂形貌。Pt/MOCVD(RuO 2 /Ru)/poly-Si 和 Pt/dc 溅射 (RuO 2 /Ru)/poly-Si 结构中的接触显示出 5.0 x 10 - 5 和 2 的特定接触电阻。分别为 0 x 10 -3 Ω cm 2 。通过MOCVD在Pt/RuO 2 /Ru/poly-Si结构中形成的RuO 2 /Ru阻挡层对于高介电常数(Ba