具有分子掺杂剂的共轭
聚合物的低 n 掺杂效率限制了它们在导电性、热电学和其他电气应用中的可用性。最近,相当多的努力集中在通过改变主体
聚合物或 n 掺杂剂的结构来改善掺杂剂的电离。然而,离子化掺杂剂对
聚合物导电性和热电性能的影响仍是一个谜。在此,我们试图通过两种 n 掺杂剂
TAM 和 N-
DMBI-H 的系统比较来揭示分子掺杂剂阳离子对载流子传输的作用。由于它们不同的
化学结构特性,这两种 n 型掺杂剂在
聚合物中表现出不同的掺杂特征。例如,在服用兴奋剂时,
TAM 对
聚合物骨架构象和微观结构排序的扰动可忽略不计;然后在电离后,
TAM 阳离子具有弱的 π-主链亲和力,但与侧链具有很强的内在亲和力,这使得掺杂系统能够在空间上屏蔽库仑势。这种掺杂特性导致
TAM 掺杂
聚合物的高载流子化能力,并进一步导致高达 22 ± 2.5 S cm-1 的优异导电性和超过 80 μW m-1 K-2 的功率因数,显着高于状态常见的