4,8-dibromo-naphthalene-1,5-diyldiamine | 154190-75-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 4,8-dibromo-naphthalene-1,5-diyldiamine
• 英文别名: 4,8-Dibrom-naphthalin-1,5-diyldiamin；4,8-dibromo-1,5-diaminonaphthalene；4,8-dibromonaphthalene-1,5-diamine
• CAS: 154190-75-7
• 化学式: C₁₀H₈Br₂N₂
• 分子量: 315.995
• InChiKey: RWNGCQDXNCWJQY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.2
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  52
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4,8-dibromo-naphthalene-1,5-diyldiamine 在 硫酸 、 溴 、 碘 、 sodium nitrite 作用下， 生成 1,3,5,8-tetrabromonaphthalene
  参考文献：
  名称：

  46.萘二胺的取代反应。第二部分 1：5-和1：8-萘二胺的二甲苯-对磺酰基衍生物的溴化

  摘要：

  DOI：

  10.1039/jr9510000221
• 作为产物：
  描述：

  1,5-bis(p-toluenesulfonamido)naphthalene 在 硫酸 、 溴 、 溶剂黄146 作用下， 生成 4,8-dibromo-naphthalene-1,5-diyldiamine
  参考文献：
  名称：

  46.萘二胺的取代反应。第二部分 1：5-和1：8-萘二胺的二甲苯-对磺酰基衍生物的溴化

  摘要：

  DOI：

  10.1039/jr9510000221

文献信息

• Substituted naphtho[1,8-de:5,4-d'e']bis[1,3]thiazines, process for their
  申请人：Ciba-Geigy Corporation

  公开号：US05349062A1

  公开（公告）日：1994-09-20

  Compounds of formula I ##STR1## wherein X.sub.1 and X.sub.2 are each independently of the other O, S or Se, and R.sub.1 and R.sub.2 are each independently of the other a monovalent radical of an aliphatic or aromatic hydrocarbon of 1 to 20 carbon atoms which is unsubstituted or substituted by NH.sub.2, C.sub.1 -C.sub.6 alkyl, C.sub.1 -C.sub.6 alkoxy, phenyl or C.sub.3 -C.sub.8 cycloalkyl. The compounds of formula I are able to form electrically conductive charge transfer complexes.

  式I的化合物 ##STR1## 其中X.sub.1和X.sub.2各自独立地为O、S或Se，而R.sub.1和R.sub.2各自独立地为1到20个碳原子的脂肪或芳香族碳氢化合物的一价基团，该基团未被取代或被NH.sub.2、C.sub.1-C.sub.6烷基、C.sub.1-C.sub.6烷氧基、苯基或C.sub.3-C.sub.8环烷基取代。式I的化合物能够形成电导电荷转移复合物。
• Substituierte Naphtho[1,8-de:5,4-d'e']bis[1,3]thiazine, Verfahren zu deren Herstellung und deren elektrisch leitende charge-transfer komplexe
  申请人：CIBA-GEIGY AG

  公开号：EP0577560A1

  公开（公告）日：1994-01-05

  Verbindungen der Formel I worin X₁ und X₂ unabhängig voneinander O, S oder Se bedeuten, und R₁ und R₂ unabhängig voneinander ein unsubstituierter oder mit NH₂, C₁-C₆-Alkyl, C₁-C₆-Alkoxy, Phenyl oder C₃-C₈-Cycloalkyl substituierter einwertiger Rest eines aliphatischen oder aromatischen Kohlenwasserstoffs mit 1 bis 20 C-Atomen darstellen. Die Verbindungen der Formel I können elektrisch leitende Charge-Transfer Komplexe bilden.

  式 I 的化合物 其中 X₁ 和 X₂ 各自独立地为 O、S 或 Se R₁和 R₂彼此独立地代表未取代的或 NH₂-、C₁-C₆-烷基、C₁-C₆-烷氧基、苯基或 C₃-C₈-环烷基取代的具有 1 至 20 个碳原子的脂肪族或芳香族烃的单价基。 式 I 的化合物可形成导电的电荷转移络合物。
• ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
  申请人：Fujifilm Corporation

  公开号：EP3116031A1

  公开（公告）日：2017-01-11

  Provided are an organic thin-film transistor including: a gate electrode, an organic semiconductor layer, a gate insulating layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, in which the organic semiconductor layer includes an organic semiconductor and a resin (C) having one or more groups selected from the group consisting of a group having fluorine atoms, a group having silicon atoms, an alkyl group having one or more carbon atoms or having two or more carbon atoms in a case of forming an alkoxycarbonyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryloxycarbonyl group, an aromatic ring group substituted with at least one alkyl group, and an aromatic ring group substituted with at least one cycloalkyl group; and a method for manufacturing an organic thin-film transistor including: applying a coating solution which contains the organic semiconductor and the resin (C) and causing the resin (C) to be unevenly distributed.

  提供了一种有机薄膜晶体管，包括基板上的栅电极、有机半导体层、栅绝缘层、源电极和漏电极，其中有机半导体层包括有机半导体和树脂 (C)，树脂 (C)具有一个或多个基团，这些基团选自具有氟原子的基团、具有硅原子的基团组成的组、具有一个或多个碳原子的烷基，或在形成烷氧基羰基、环烷基、芳烷基、芳氧基羰基、被至少一个烷基取代的芳环基和被至少一个环烷基取代的芳环基的情况下具有两个或多个碳原子的烷基；一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括涂敷含有有机半导体和树脂（C）的涂层溶液，并使树脂（C）不均匀分布。
• SEMICONDUCTOR ELEMENT AND INSULATING-LAYER-FORMING COMPOSITION
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：EP3125277A1

  公开（公告）日：2017-02-01

  Provided is a semiconductor element having a semiconductor layer and an insulating layer adjacent to the semiconductor layer, in which the insulating layer is formed of a crosslinked product of a polymer compound having a repeating unit (IA) represented by the following General Formula (IA) and a repeating unit (IB) represented by the following General Formula (IB). In General Formula (IA), R1a represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group. L1a and L2a each independently represent a single bond or a linking group. X represents a crosslinkable group. m2a represents an integer of 1 to 5, and in a case where m2a is 2 or more, m2a number of X's may be the same or different from each other. m1a represents an integer of 1 to 5, and in a case where m1a is 2 or more, m1a number of (-L2a-(X)m2a)'s may be the same or different from each other. In General Formula (IB),' R1b represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl group. L1b represents a single bond or a linking group, and Ar1b represents an aromatic ring. m1b represents an integer of 1 to 5.

  本发明提供了一种半导体元件，该元件具有半导体层和与半导体层相邻的绝缘层，其中绝缘层由聚合物化合物的交联产物形成，该聚合物化合物具有如下通式(IA)表示的重复单元(IA)和如下通式(IB)表示的重复单元(IB)。 通式（IA）中，R1a 代表氢原子、卤素原子或烷基。L1a 和 L2a 各自独立地代表单键或连接基团。X 代表可交联基团。m2a 代表 1 至 5 的整数，在 m2a 为 2 或 2 以上的情况下，m2a 中 X 的数目可以相同或不同。m1a 代表 1 至 5 的整数，在 m1a 为 2 或 2 以上的情况下，m1a 中 (-L2a-(X)m2a) 的数目可以相同或不同。通式（IB）中，' R1b 代表氢原子、卤素原子或烷基。L1b 代表单键或连接基团，Ar1b 代表芳香环。
• Organic thin-film transistor and method for manufacturing same
  申请人：FUJIFILM Corporation

  公开号：US10008671B2

  公开（公告）日：2018-06-26

  Provided are an organic thin-film transistor including: a gate electrode, an organic semiconductor layer, a gate insulating layer, and a source electrode and a drain electrode on a substrate, in which the organic semiconductor layer contains an organic semiconductor and a block copolymer, and the block copolymer is at least one selected from specific block copolymers such as a styrene-(meth)acrylate ester block copolymer and may be phase-separated, and a method for manufacturing an organic thin-film transistor, which includes an organic semiconductor containing a phase-separated block copolymer, including: applying a coating solution which contains an organic semiconductor and a block copolymer for film formation; and heating the obtained film so that the block copolymer is self-assembled.

  提供了一种有机薄膜晶体管，包括：栅极、有机半导体层、栅极绝缘层以及基底上的源电极和漏电极，其中有机半导体层包含有机半导体和嵌段共聚物，嵌段共聚物至少是选自特定嵌段共聚物（如苯乙烯-（甲基）丙烯酸酯嵌段共聚物）中的一种，并且可以是相分离的；以及一种制造有机薄膜晶体管的方法，其中包括含有相分离嵌段共聚物的有机半导体，包括： 1：涂敷含有有机半导体和嵌段共聚物的涂层溶液，以形成薄膜；以及加热获得的薄膜，使嵌段共聚物自组装。