The structure of self-assembled monolayers of alkylsiloxanes on silicon: a comparison of results from ellipsometry and low-angle x-ray reflectivity
作者:Stephen R. Wasserman、George M. Whitesides、Ian M. Tidswell、Ben M. Ocko、Peter S. Pershan、John D. Axe
DOI:10.1021/ja00197a054
日期:1989.7
the sensitivity of the two techniques to the structure of the interface between silicon dioxide and the alkylsiloxanemonolayer. The x-ray reflectivity measurements provide evidence that these organic monolayers do not build up as island structures and demonstrate that the approximate area projected by each alkyl group in the plane of the monolayer is approximately} 21 plus minus}3 angstrom}sup 2}
硅-二氧化硅基材上的 C10-C18 烷基硅氧烷单层的厚度已用椭圆光度法和低角 X 射线反射测量。尽管对于任何给定的样品,通过两种方法测量的厚度都在实验误差范围内,但椭偏测量系统地大了大约 2 埃}。这种差异可能是由于两种技术对二氧化硅和烷基硅氧烷单层之间界面结构的敏感性不同造成的。X 射线反射率测量提供的证据表明这些有机单层不会形成岛状结构,并证明单层平面中每个烷基的投影面积约为 大约} 21 加减} 3 埃} sup 2}。初步研究表明,该技术可用于跟踪由化学转化引起的单层结构的变化。讨论了由 X 射线辐射引起的损坏对这些测量的影响。