[EN] SELECTIVE REMOVAL CHEMISTRIES FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS, METHODS OF PRODUCTION AND USES THEREOF<br/>[FR] PRODUITS CHIMIQUES POUR ENLÈVEMENT SÉLECTIF POUR APPLICATIONS SEMI-CONDUCTRICES, PROCÉDÉS DE FABRICATION ET UTILISATIONS IDOINES
申请人:HONEYWELL INT INC
公开号:WO2006054996A1
公开(公告)日:2006-05-26
[EN] Removal chemistry solutions are described herein that include at least one low H2O content fluorine-based constituent and at least one solvent or solvent mixture. Removal chemistry solutions also include: hydrogen fluoride gas, and at least one solvent or solvent mixture. Methods are described herein for producing removal chemistry solutions that include providing at least one gaseous low H2O content fluorine-based constituent, providing at least one solvent or solvent mixture, and bubbling the at least one low H2O content fluorine-based constituent into the at least one solvent or solvent mixture to form the removal chemistry solution. Methods for producing removal chemistry solutions are also described that include: providing at least one low H2O content fluorine-based constituent, providing at least one solvent or solvent mixture, and blending the at least one low H2O content fluorine-based constituent into the at least one solvent or solvent mixture to form the removal chemistry solution. Additional methods of forming a removal chemistry solution include: providing at least one gaseous anhydrous fluorine-based constituent, providing at least one solvent or solvent mixture, and bubbling the at least one anhydrous fluorine-based constituent into the at least one solvent or solvent mixture to form the solution. Also, methods of forming a removal chemistry solution, as described herein include: providing hydrogen fluoride gas, providing at least one solvent or solvent mixture, and bubbling the hydrogen fluoride gas into the at least one solvent or solvent mixture to form the solution.
[FR] L'invention décrit ici des solutions chimiques d'élimination, comprenant au moins un constituant à base de fluor à faible teneur en H2O et au moins un solvant ou un mélange de solvants. Des solutions chimiques d'élimination englobent également : du gaz de fluorure d'hydrogène, et au moins un solvant ou un mélange de solvants. L'invention décrit des procédés de fabrication de solutions chimiques d'élimination consistant à fournir au moins un constituant à base de fluor à faible teneur en H2O gazeux, à fournir au moins un solvant ou un mélange de solvants, et à buller l'au moins un constituant à base de fluor à faible teneur en H2O dans l'au moins un solvant ou mélange de solvants pour constituer la solution d'élimination de produits chimiques. Elle concerne des procédés de fabrication de solutions d'élimination de produits chimiques consistant : à fournir l'au moins un constituant à base de fluor à faible teneur en H2O, à fournir au moins un solvant ou un mélange de solvants et à mélanger l'au moins un constituant à base de fluor à faible teneur en H2O dans au moins un solvant ou mélange de solvants pour constituer la solution d'élimination de produits chimiques. Des procédés supplémentaires de préparation d'une solution d'élimination de produits chimiques consistent : à fournir au moins un constituant à base de fluor anhydre gazeux, à fournir au moins un solvant ou un mélange de solvants, et à buller l'au moins un constituant à base de fluor anhydre dans l'au moins un solvant ou mélange de solvants pour constituer la solution. De même, l'invention porte sur des procédés de fabrication d'une solution d'élimination de produits chimiques consistant : à fournir du gaz de fluorure d'hydrogène, à fournir au moins un solvant ou un mélange de solvants, et à buller le gaz de fluorure d'hydrogène dans l'au moins un solvant ou mélange de solvants pour constituer la solution.