tert-butylarsine | 39760-34-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: tert-butylarsine
• 英文别名: tertiary butyl arsine；Tritertiarybutylarsine；tritert-butylarsane
• CAS: 39760-34-4
• 化学式: C₁₂H₂₇As
• 分子量: 246.268
• InChiKey: YSPBORFVJLIOMX-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  237.4±9.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.88
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tert-butylarsine 在 pyridine 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醇 、 水 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Preparation, characterization, and some reactions of tri-tert-butylarsine complexes of platinum(II) and palladium(II) chlorides

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ic50225a006
• 作为产物：
  描述：

  Bu^t2AsCl 、 叔丁基锂 以 正戊烷 、 苯 为溶剂， 反应 4.0h， 以79.4%的产率得到tert-butylarsine
  参考文献：
  名称：

  有机金属larsine：IX。叔丁基（trimethylelement（IVB））s和五羰基铬-，-钼-和-wolfram-komplexe

  摘要：

  二叔丁基氯ar与叔丁基锂反应生成三叔丁基ar，与三甲基氯硅烷-镁-四氢呋喃反应生成二叔丁基（三甲基甲硅烷基）ar。以类似的方式从三氯化砷与三甲基氯硅烷-镁-HMPA中获得三（三甲基甲硅烷基）ar。三甲基甲硅烷基赖氨酸与三甲基氯锗烷和-锡烷反应，得到相应的三甲基锗烷基和-锡烷基yl。有机金属ar与六羰基铬，-钼或-钨反应形成五羰基（有机金属metal）-铬，-钼或-钨配合物。报道了新的笨重的砷化氢配体和某些配合物的NMR，IR，拉曼和He（I）-PE数据。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)89149-4
• 作为试剂：
  描述：

  在 palladium diacetate 、 三正丁基氟化锡 、 tert-butylarsine 、 cesium fluoride 作用下， 以 甲苯 、 苯 为溶剂， 反应 3.5h， 以60%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  通过迭代吡喃环形成策略全合成（-）-Deguelin

  摘要：

  （-）-deguelin的对映选择性合成是通过迭代的吡喃环形成方法完成的。关键特征涉及将双亚甲基亚砜阴离子加成到芳氧基烷基醛上以形成双环化前体。

  DOI：

  10.1039/c5cc02215k

文献信息

• Improvement of the uniformity of self-assembled InAs quantum dots grown on InGaAs∕GaAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
  作者：Tao Yang、Shiro Tsukamoto、Jun Tatebayashi、Masao Nishioka、Yasuhiko Arakawa

  DOI：10.1063/1.1802376

  日期：2004.10.4

  We report an approach to improve the uniformity of self-assembled InAs quantum dots (QDs) grown on a strained In0.12Ga0.88As buffer layer on GaAs substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. By inserting a thin GaAs layer between the InAs QD layer and the In0.12Ga0.88As buffer layer and examining its thickness effect, we demonstrate that the photoluminescence (PL) inhomogeneous

  我们报告了一种通过低压金属有机化学气相沉积在 GaAs 衬底上的应变 In0.12Ga0.88As 缓冲层上生长的自组装 InAs 量子点 (QD) 均匀性的方法。通过在 InAs QD 层和 In0.12Ga0.88As 缓冲层之间插入薄 GaAs 层并检查其厚度效应，我们证明可以通过增加薄 GaAs 的厚度来改善 QD 的光致发光 (PL) 不均匀线宽层。随着厚度从 0 增加到 2nm，PL 不均匀线宽在 7K 时从大约 70meV 显着降低到 20meV。PL 不均匀线宽的显着改善是由于 QD 从双峰分布变为单峰分布，因为插入了薄 GaAs 层，因此仅由大 QD 组成。
• Abrupt InGaP∕GaAs heterointerface grown by optimized gas-switching sequence in metal organic vapor phase epitaxy
  作者：Takayuki Nakano、Tomonari Shioda、Eiji Abe、Masakazu Sugiyama、Naomi Enomoto、Yoshiaki Nakano、Yukihiro Shimogaki

  DOI：10.1063/1.2884694

  日期：2008.3.17

  Fabrication of abrupt InGaP∕GaAs heterointerfaces has been difficult using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) due to the exchange of P and As during the fabrication steps. An optimized gas-switching sequence to fabricate heterointerface of InGaP on GaAs layer by MOVPE was previously developed in which the unstable top surface layer of GaAs is stabilized and the exchange of P and As between InGaP and GaAs

  由于在制造步骤中 P 和 As 的交换，使用金属有机气相外延 (MOVPE) 制造突然的 InGaP∕GaAs 异质界面一直很困难。先前开发了通过 MOVPE 在 GaAs 层上制造 InGaP 异质界面的优化气体开关序列，其中稳定了不稳定的 GaAs 顶面层，并抑制了 InGaP 和 GaAs 层之间的 P 和 As 交换。在这项研究中，通过使用扫描透射电子显微镜 (STEM) 定量评估了这种优化的气体切换序列的效果。通过在 STEM 中使用 Z 对比方法揭示了原子层级界面处从 GaAs 到 InGaP 的原子组成变化。
• Effects of AlAs interfacial layer on material and optical properties of GaAs∕Ge(100) epitaxy
  作者：C. K. Chia、J. R. Dong、D. Z. Chi、A. Sridhara、A. S. W. Wong、M. Suryana、G. K. Dalapati、S. J. Chua、S. J. Lee

  DOI：10.1063/1.2908042

  日期：2008.4.7

  GaAs∕AlAs∕Ge(100) samples grown at 650°C with AlAs interfacial layer thickness of 0, 10, 20, and 30nm were characterized using transmission electron microscopy, secondary ion mass spectrometry (SIMS), and photoluminescence (PL) techniques. SIMS results indicate that the presence of an ultrathin AlAs interfacial layer at the GaAs∕Ge interface has dramatically blocked the cross diffusion of Ge, Ga, and

  GaAs∕AlAs∕Ge(100) 样品在 650°C 下生长，AlAs 界面层厚度为 0、10、20 和 30nm，使用透射电子显微镜、二次离子质谱 (SIMS) 和光致发光 (PL) 技术进行表征。SIMS 结果表明，在 GaAs∕Ge 界面存在超薄的 AlAs 界面层极大地阻止了 Ge、Ga 和 As 原子的交叉扩散，这归因于较高的 Al-As 键能。发现具有薄 AlAs 界面层的 GaAs 外延的光学质量随着源自 Ge 基复合物的 PL 的完全消除而得到改善，这与 SIMS 结果证实。
• High-nitrogen-content InGaAsN films on GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy with TBAs and DMHy
  作者：S. Sanorpim、F. Nakajima、W. Ono、R. Katayama、K. Onabe

  DOI：10.1002/pssa.200565240

  日期：2006.5

  94 As 0.979 N 0.021 /GaAs film corresponding to the room-temperature E 0 transition energy of 1.11 eV was achieved. It is noticeable that the structural and optical properties of the InGaAsN films grown using TBAs strongly depends on the N content, as in the case of corresponding films grown using AsH 3 . Besides, the PR spectral feature demonstrated the growth of the InGaAsN film whose bandgap is lower

  我们研究了在 GaAs 上生长高 N 含量 In x Ga 1-x As 1-y N y 薄膜的 MOVPE 生长参数及其结构和光学特性。发现 N 掺入控制主要取决于 1,1-二甲基肼 (DMHy) 摩尔流速和生长温度。随着 DMHy 摩尔流速的增加，高分辨率 X 射线衍射测量显示出明显的衍射峰位移，代表 N 掺入量的增加。另一方面，随着生长温度从 650 °C 降低到 500 °C，N 含量从 y ∼ 0.5% 增加到 3.6%。可以清楚地观察到随着 N 含量的增加，光致发光 (PL) 峰和光反射 (PR) 信号 (E 0 跃迁) 的红移。最后，晶格匹配的 In 0.06 Ga 0.94 As 0.979 N 0。实现了对应于1.11eV的室温E 0 跃迁能量的021 /GaAs膜。值得注意的是，使用 TBA 生长的 InGaAsN 薄膜的结构和光学特性在很大程度上取决于 N 含量，正如使用
• MOVPE growth and optical characterization of GaAsN films with higher nitrogen concentrations
  作者：F. Nakajima、S. Sanorpim、W. Ono、R. Katayama、K. Onabe

  DOI：10.1002/pssa.200565398

  日期：2006.5

  transition could be detected and the bandgap energy was redshifted to 1.16 eV in 1.9%-N GaAsN film. But, in higher N-content films no peak could be detected. So, post growth annealing in the reactor was applied to 4.7% and 5.1%-N films, and resulted in an enhancement of the PL peak intensity, and the bandgap energy of 5.1%-N film was consequently determined to be 0.95 eV at room temperature.

  我们使用叔丁基胂 (TBA) 作为 As 前体，通过金属有机气相外延 (MOVPE) 在 GaAs(001) 衬底上成功地生长了高达 5.1% 的高 N 含量 GaAsN 薄膜。窄的 X 射线衍射 (XRD) 峰和清晰的 Pendellosung 条纹表明 GaAsN/GaAs 界面相当平坦，GaAsN 层是均匀的。通过在 10 K 的光致发光 (PL) 测量，可以检测到与近带边缘跃迁相关的清晰 PL 峰，并且在 1.9%-N GaAsN 薄膜中带隙能量红移至 1.16 eV。但是，在 N 含量较高的薄膜中，无法检测到峰值。因此，反应器中的后生长退火应用于 4.7% 和 5.1%-N 薄膜，导致 PL 峰强度增强，因此确定 5.1%-N 薄膜的带隙能量在室温下为 0.95 eV温度。