通过卡宾诱导的 C-H 插入对甲
硅烷基醚进行 C-H 官能化代表了一种有效的合成断开策略。在这项工作中,使用供体/受体卡宾中间体实现了在 α、γ、δ 甚至
硅氧基更远端位置的位点和立体选择性 C(sp 3 )–H 官能化。通过利用Rh 2 ( R -
TCPTAD) 4和Rh 2 ( S -2-Cl-5-BrTPCP) 4催化剂的偏好,分别靶向更多电子活化或更容易空间接近的C–H位点,不同的所需产物可以形成具有良好的非对映控制和对映控制。值得注意的是,该反应还可以扩展以实现内消旋甲
硅烷基醚的去对称化。利用本研究中检查的广泛底物范围,我们使用逻辑回归训练了一个机器学习分类模型,以根据内在底物反应性和覆盖它的催化剂倾向来预测主要的 C-H 官能化位点。当将这些 C-H 官能化方法应用于新的感兴趣的基材时,该模型能够预测主要产物。通过广泛应用该模型,我们展示了其在复杂环境中指导后期功能化的实用性,并